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固/液界面上的高分子行为
刘光明1张广照2
1.中国科学技术大学化学物理系,合肥,230026
2.华南理工大学材料科学与工程学院,广州,510640
摘要:固/液界面上高分子的行为直接影响着界面的物理和化学性质。因此,研究
界面高分子行为对于理解和调控界面性质至关重要。通过带有耗散测量功能的石
英晶体微天平(QCM-D),我们系统研究了高分子在界面上的各种行为,主要包括:
温度和溶剂组成诱导的高分子刷构象变化;pH、盐浓度以及离子种类诱导的接枝
聚电解质链构象变化;高分子在界面上的接枝动力学;高分子与界面上磷脂膜间
的相互作用;高分子的降解;聚电解质在界面上的“层层”组装等。研究结果表明,
QCM-D不但能够提供界面高分子的质量变化以及高分子膜的厚度变化等信息,而
且能够提供界面高分子的结构变化信息,二者结合可得到更多有意义的信息。因
而,QCM-D是研究固/液界面高分子行为的一个有力工具。
关键词:石英晶体微天平;固/液界面;构象变化;聚电解质;离子特异性效应
刘光明等:同,液界面上的高分子行为
D=-÷兮 (2)
一
2趸E.
其中E表示储存能量,历表示每周期中的消耗能量。Sauerbrey方程的应用范围仅
局限于真空或空气中的均匀刚性薄膜,即其不能应用于液相中石英晶体表面的粘
弹薄膜。
和Gordon解出了在边界条件限制下剪切波在石英振子表面和牛顿流体间的传播
方程【7】得出:
缈=一,z“2石3彪(研岛/玛岛)2 (3)
其中暂f代表液相粘度,p,代表液相密度,肋代表石英晶体的剪切模量。1996年,
凹=2(五/刀)¨2(研纾/戳岛)1坨 (4)
如果在液相中,石英振子表面吸附了一层粘弹薄膜,则需要考虑这层薄膜的
粘弹性。薄膜的复数剪切模量(G)为:
(5)
G=G’+fG”=竹+f2万厂以=纷(1+f2万厂0)
G代表薄膜的储存模量,G’代表薄膜的耗散模量,膨代表薄膜的弹性模量,桫代表
薄膜的剪切粘度,可代表薄膜的特征驰豫时间。因此通过求解剪切波的传播方程可
得【9】:
Ⅳ幽(南] @
、∽
pqlq
曲一心(南)0j3
其中
量圣!鱼二丝+l
芎2 2冗fql
瞒毪产锹 专L2冗{qf—t弛|
专2 2冗fql
缶= 乞=
办代表薄膜的密度,砂代表薄膜的厚度。
QCM在
自从Sauel‘bfey方程建立以来,特别是在将QCM应用到液相中以后,
各个领域得到了广泛应用【lo】。但需要强调的是,传统的QCM只能提供与质量变化
相关的信息。而QCM.D不但能够提供与质量变化相关的信息,还能提供与结构变
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刘光明等:固/液界面上的商分子行为
化相关的信息,二者结合可得到更多有意义的信息。本文作者利用QCM.D系统研
究了高分
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