硅基体离子注入氮、硼对c-BN膜制备的影响的研究.pdfVIP

一 一 苎至星竺璺塞堂三堡兰查叁堡丝壅叁 硅基体离子注入氮、硼对c．BN膜制备的影响研究 蔡恚海谭後张平唐云 装叩兵jr程学院装备再制造国防科技重点实验室 摘要：本文探索研究r硅基体注入氮、硼元素对后续射频磁控溅射沉积制各c-BN薄膜的蟛响，试验结果表明：离子注 相对较高；反冲注硼对薄膜的立方相含量提高不大。但明显降低了薄膜的内应力；硼、氮共注，既有利于薄膜立方相含 量的提高，又有利于薄膜的内应力的降低：当注氨剂量为9．6x10”ions／c守时，薄膜中的立方相含量达到了最高：随着注 氮剂量的增加，薄膜的内应力相对升高。 关键词：立方氮化硼薄膜 离子注入 射频磁控溅射相结构内应力 1．2 c-SN薄膜的制备 引言 样品完成了离子注入试验后，马上放置到真 立方氮化硼具有非常优异的物化性能，其硬 空室中，采用优化的射频磁控溅射工艺参数进行 度仅次于金刚石，而抗高温氧化性、化学稳定性 立方氮化硼薄膜的制各，工艺参数见表2。 和半导体特性优于金刚石。同时它的摩擦系数很 表1 立方氮化硼薄膜沉积的工艺条件 小，导热率高，并且不象金刚石那样与铁有较强 工艺条件 衬底预溅射 薄膜生长 的亲合力，所以很适合于做刀具，特别是加工铁 溅射功率(w) 160 300 基合金的刀具涂层[i-31。然而，当前用各种物理和衬底偏压(v) ．300 ．200 化学气相沉积方法获得的c．BN膜，总含有一些如 衬底温度(℃) 室温 400 六角氮化硼(h．BN)或非晶氮化硼(a．BN)等非 纯Ar 5：2 轰击气体Ar刖2 立方相，其纯度一般不超过90％”。J。同时立方氮 沉积时间(min) 10rain 120 化硼薄膜存在很大的内应力，约2～9GPa，换言工作气压(Torr) 2×100 1×100 之，基体一侧的材料表面，将承受相当于低碳钢 1．3 样品的分析 强度几十倍的残余拉应力[61；这严重地影响了薄膜 在基片上的附着，有时几小时甚至几分钟就爆裂 仪，BN薄膜的组成、化学状态以及剖面分析用 了；为实现c．BN薄膜的工业应用，必须提高c．BN 薄膜的纯度和降低薄膜的内应力。 (XPS)；由于硼膜对红外具有强烈的吸收作用， 本文采用离子注入N、注B和N、B共注三 硅基体上注硼和硼、氮共注的样品，需要采用红 种不同方法在硅基体上形成过渡缓冲层，并探索 外反射光谱分析。 研究了不同注入缓冲层对薄膜c-BN含量和薄膜内 应力的影响，进而确定合适的注入元素种类和剂 2试验结果与讨论 量。 2．1 氯离子注入硅基体对制备c-BN薄膜的影响 I试验过程 红外光谱作为～种非破坏性的检测手段，常 被用于c．BN薄膜中立方相含量的定量分析；cBN 1．1 样品的离子注入 离子注入试验所用设备为CG．60型离子注入 机，将硅片经过氢氟酸浸泡数分钟，再用超声波 lh)17l。 清洗后放入真空室内，对样品进行氮离子注入， 图1给出了注入不同氮剂量的硅基体上制备 注入电压为50kV，注入氮