Ni掺杂TiO2半导体对304不锈钢的光电化学抗腐蚀机制的研究.pdfVIP

Ni掺杂TiO2半导体对304不锈钢的光电化学抗腐蚀机制研究 孙萌萌 陈卓 元 中国科学院海洋研究所，青岛 266071 引言——近年来，采用n型半导体对金属材料进行光电化学阴极保护作为一种重要的抗腐蚀技术，得到了 越来越广泛的关注。这一技术采用太阳能激发半导体材料从而在导带上产生光生电子，进而这些光生电子 转移到偶联的金属表面，对金属提供阴极保护[1，2]。这种半导体材料理论上是作为一种非牺牲的光阳极， 因为光阳极反应并不分解半导体材料本身，而是通过光生空穴氧化水和/或吸附的有机污染物来进行的。更 重要的是，这种半导体材料应具有比被保护的金属的腐蚀电势还要足够负的导带电势。 2()12’湘洋鹏蚀‘J化物污坝’’：!：术州川会 304ss Ⅲ，Ni…卅5(’!r啦JJ焚l、J f门j匕敛19J微f泶抄1过I‘f!，义f!J14b℃J邛¨打iI冬I计}。幺。．粜侈2I9J．304ss伊5I戊 304sS f、I『|IjJt为-’一jⅡ1 I；Ilj九的l／50，们5If爻lU十及fnLiⅢl!Jd ’ri。，。叭Ni。，川，so!}倬”螅：}j|JJ戊的)。乙jU极JIj，，1．1IJ见)匕J!H目0 _：I：i‘降低。这址I|IJ：住光照卜订人啦11，J光，lifUJ，产牛”}々f多j、0偶_【f父n，J304ss}?，304ss丧…fI，JlU化’、≯反f、V j．光生IUrf门极化InJ褂到!l‘!=篱增姒。从InJ304ss夺身『|勺火IUJi溶解反J、V缁剑抑制，304SS被川极保护起米。 ni光f乜化00反J啦i也r}，，光tL，i!，(h+与S!。反』蛳生成彩flj：I化f}物(S。。，二。j，， ～ ～ 一 一 一 一 一 T ¨、 o k 8；j i¨¨ 1 、 o栅圳n 竹 一一 ¨ II．。、．．。f． ¨ iI ¨ 1‘2．1；， ¨ 20 ¨ 10 ∞ 逵墓一：遥．，…。=一。燮一j 一哇一 ‘‰—蕊．p7∞ljoo。”“”％譬’”’“”… o# 0 10 20 30 40 50 Z’，kohm