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数字MOSIC功能和参数测试
本实验的目的是熟悉MOSIC的功能和参数的物理意义,掌握其测试方法。测试包括MOSIC的逻辑功能、最高工作频率、静态功耗、工作功耗、输入高(低)电平、输出高(低)电平、输入电流、输出驱动能力及延迟时间等。
实验原理
MOSIC静态功耗(也称维持功耗)P
MOSIC的静态功耗是:当输入端为固定的逻辑点评,输出端空载,输出状态固定不变是电路所消耗的能量。静态功耗是温度的函数。由于静态是从电源到底没有支流通路,MOSIC静态功耗很小,它只取决于漏电情况。
输出高电平(低电平V)。输入高电平(低电平V)
当输入输出为固定的V或V,输出端空载时,所输出的固定电平为输出高电平V及输出低电平V。
当输出端维持应有的V和V时,输出端所能输入的最小高电平V或最大低电平V。
V(V)越接近V (V),V (V)越远离V (V),其电路性能越好。
3.逻辑功能和最高工作频率f
(1)现实根据被测的IC应有的逻辑功能确定输入输出波形时序,搭一个相应的测试电路产生这些输入波形并把其送入被测IC的输入端,用示波器或逻辑分析仪测试输入输出波形所对应的时序关系。
(2)最高工作频率f取决于电路各级在动态工作中的充放电速度。在额定的负载下,保持正确逻辑关系和额定的波形幅度,电路所能承受的输入脉冲的频率为f。
4.工作功耗P
静态功耗和动态功耗的总和为电路的工作功耗。
P=P+P+P
动态功耗包括顺态功耗和交变功耗P。其中P是在动态工作中电源对电容(包括级间栅电容、Pn结电容和输出级负载电容等)的充放电所消耗的能量。
P=ΣCf(V-V)V
P是由于在交变时波形的上升沿和下降沿使得电路从V到V有直流通路而消耗的能量。
P∝f
动态功耗是无法单独测试的,而对于CMOS电路由于P很小,因此
P≈P+P
在固定负载情况下它与工作频率成正比,在固定工作频率时,它与负载电容成正比。
5.延迟时间t
延迟时间t反映电路某输出端对输入端变化的影响速度,它的定义如图36。1所示。
t=(t+t)
6.输出驱动能力
(1)输出级队电路负载的驱动能力用⊿t/1F /表示,即单位负载电容的增加对输出级延迟时间的影响。这个制约小,说明电路负载能力越强。测试和计算用式
⊿t/1F=
(2)输出级对电流负载的驱动能力用拉、灌电流表示。
灌电流I——在满足输出端额定的最大输出低电平V时,从输出到V向电路所灌电流的最大值。
拉电流I——在满足输出端额定的最小输出高电平V时,从输出端到V从电路拉出电流的最大值。
I 和I越大,说明电路的电流负载能力越强。
7.输入电流I
输入端界固定的V(或V),从输入端至电路的(或)端所通过的电流即为输入电流I。MOSIC的输入电流取决于栅的漏电和电路保护中pn结漏电等。因I很小,无法用万用表直接测量,可以在输入端输入串联一个很小的采样电阻R,此时,通过R和万用表的输入电阻R的电流相等。因此
I≈V/ R
实 验 内 容
测试室温下高速CMOS四异或门74HC86的静态功耗,并于相同功能的双极电路74LS86静态功耗对比。
测量74HC86的输入高电平和低电平,输出高电平和低电平。
测量低速CMOS异或门CD4030的逻辑功能和负载电容为5pF的最高工作频率。
用逻辑分析仪测试高速CMOS十进可逆计数器74HC193的逻辑功能。
测量CD4030的工作功耗及其和频率的关系。
测量CD4030和74HC86的延迟时间,并进行比较。
测量CD4030输入级对电容和电流的负载能力。
测试CD4030输入级的输入电流。
实 验 步 骤
MOSIC静态功耗
按图3连接测试线路。每个输入端必须接或。
稳压源调至5V,电流表置最小量程,记录稳定电流值。将、与断开,观测电流。
用74LS86代替74HC86重复以上实验。
2。输入高电平和低电平,输出高电平和低电平
(1)将图3测试线路中端与之间并入一个电压表,测量端的输出低电平。
(2)上图中的改接至,测量端的输出高电平。
(3)按图4连接测试线路。
(4)电压源调至5V,调节电位器使从开始下降,直至输出电压从开始上升,此时=。
(5)调节电位器使从开始上升,直至输出端的输出电平从开始下降,此时=。
3。逻辑功能和最高工作频率
(1)用双踪示波器对简单的逻辑电路CD4030测试
1)按图36.5连续测试线路,可变电容调至15pF,脉冲发生器频率置100k,=5V。
2)用双踪示波器、分别测量输入端和的波形。
3)用、分别测量、的波形并记录相对、的波形图。
4)提高脉冲发生器频率,同时调节时基旋钮,观察波形的变异,测试最高工作频率(CD4030输入端的频率)。
(2
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