锌源温度对MOCVD法氧化锌薄膜生长影响.pdfVIP

2∞4年8月，涟 膏十=一奢■化鲁-牛粤体材#、ttl件#生电●件学丰●戗 ■E，P九一★■■体●L—H■木●tg 锌源温度对MOCVD法氧化锌薄膜生长的影响4 刘博阳1’2，杜国同1，杨小天1，赵佰军1，张源涛1，刘大力1，杨树人 (1．吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家联合重点实验室，吉林长春130023 吉林长春 email：boyang_liu@hotmail．corn，2．吉林大学物理学院相干光、原子与分子光谱教育部重点实验室， 130023) 摘要：本文研究了金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长氧化锌薄膜过程中锌源温度对薄膜生长和质量的影响。 性和表面形貌进行了比较与研究。研究显示锌源温度为一19。C时所生长的ZnO薄膜具有较好的综合特性。XRD显示 一—_--——一 2)晶面衍射蜂，说