蓬勃发展金刚石薄膜材料.pdfVIP

电子专锶化学品高薪技术s南场研讨会论文集 蓬勃发展的金刚石薄膜材料 张，臣 中国电子材料行业协会 i前言 自1982年日本无机材料研究所的研究人员在世界上首次宣布人工合成金刚石薄 膜获得成功以来，国内外对该材料研究久演不衰，其原因在于它是一种独具魅力的新 型电子材料。金刚石薄膜是迄今为止已知材料中硬度最大、透光范围最宽、声速最大、 室温下热导率最高的材料，除此之外，它还具有带隙宽、载流子迁移率高和极佳的化 学稳定性，它在电学、光学、升学、热学、机械以及军事领域中有着广泛的应用前景。 金刚石作为天然矿藏每年约开采30吨左右，其价格十分昂贵，因而人造金刚石薄膜技 术引起世界各国的重视，近年来对其的研究出现了以下4个热点：①半导体金刚石薄 膜成为热门研究课题；②低温低压CVD、异质外延等制各技术有重大突破；③大面积 均匀薄膜和准单晶薄膜研究异常活跃；④新应用领域对该材料的需求越来越迫切。2002 年由于半导体领域的需求，人造金刚石的市场贸易额达800亿美元左右，这一市场的 扩大，主要靠金刚石薄膜而不是粒状金刚石。我国对这种新型多功能材料的生长方法 和应用技术研究取得很大进展。 2金刚石薄膜的特性与应用 2．1在半导体方面的应用 金刚石薄膜是一种宽禁带半导体材料，它与几种半导体材料特性比较如表l所示。 由表1可见，在几种半导体材料中，以金刚石薄膜禁带宽度最宽，分别为Si和GaAs 近代宽度的5倍和4倍，工作温度、击穿场强和热导率均居首位。这意味着，该材料 将首先在Si、GaAs等半导体材料不宜应用的高电压、高温等场合发挥极其重要的作 用，在用于制作高稳定的耐高温、抗辐射的微波振荡器件、毫米波功率器件、耐高温 高压晶体管和集成电路方面有很大优势。化学气相沉积法(CVD)制备金刚石薄膜为 其在半导体方面的应用提供了可能。现已研制成功金刚石一一硅衬底上的金接触、高 镇流比的肖特基二极管“’，在500℃时，整流L匕103。用该材料制作的场效应晶体管 作电压为100V，最高工作温度达600℃以上。金刚石用于超大规模集成电路和大功率 164 电子专再化学品高额技术与市场研讨会论文集 器件的芯片散热，可显著提高散热性能和集成度，并且是解决多芯片散热技术难题的 最理想材料。金刚石器件与大多数半导体器件一样，都是以PN结构，P型掺杂工艺 已基本成熟，N型掺杂比较困难。北京工业大学对金刚石中Li、Na、P等施主杂质， 就施主能级、溶解度、稳定性等参数与实现N型掺杂关系进行研究，为开展N型掺杂 提供有价值的工艺方法。最近，法国科学家将氢元素加入含有硼的P型半导体中，结 果发现该材料转化成N型半导体金刚石，其导电性比用传统方法制造的高出近1万倍， 为电子元器件的开发提供了新材料。 表1金刚石与几种半导体材料的特性比较 材料特性 Si GaAs GaP 3C—SiC 金刚石 禁带宽度(300K)／eV 1．12 1．43 2．3 2．2 5．5 最高工作温度／0(2 300 460 925 873 1100 熔点／℃ 1420 1230 1470 1800升 晶相改变 垡 物理稳定性 好 较好 较好 优 优 1400 8500 350 1000 2200 电子迁移率(室温)；[cm2／(Vs)】 600 400 100 40 1600 空穴迁移率(室温)／[cm2／(Vs)】 击穿场强／(106V／cm) 0．3 0．4 4 10 热导率／[W／(cm。C)】 1．5 O．5