表面氢化的双层氮化硼的结构和电子性质.pdfVIP

物理 学报 ActaPhys．Sin．Vo1．63，No。1(2014) 016801 表面氢化的双层氮化硼的结构和电子性质冰 高潭华 ) 吴顺情2) 张鹏2) 朱梓忠2)3)十 1)(武夷学院机电工程学院，武夷山 354300) 2)(厦门大学物理系，厦门 361005) 3)(福建省理论与计算化学重点实验室，厦门大学，厦门 361005) (2013年9月4日收到；2013年9月29日收到修改稿) 采用第一性原理方法研究了表面氢化的双层氮化硼的结构和 电子性质．考虑了表面氢化的双层BN可能 存在的六种主要构型，计算结果表 明：AB—BN和AA—BN两种构型最为稳定．进一步分析了氢化后的双层BN 最稳定构型的能带和电子性质．AB—BN和AA—BN两种构型的原子薄片均为直接带隙半导体，GGA计算的带 隙值分别为1．476V和1．32eV．因为GGA通常严重低估带隙值，采用hybrid泛函计算得到带隙值分别为2．52 ev和2．34ev．在最稳定的AB．BN和AA．BN两种构型中，B．N键呈现共价键，而B—H和N—H则具有明显的 离子键的特点．在双轴应变下氢化双层BN原子薄片可 以被连续地调节带隙，当晶格常数被压缩约8％时，原 子薄片由半导体性转变为金属性． 关键词：氢化，双层BN原子薄片，电子结构，第一原理计算 PACS：68．43．-h，73．90．+f，73．20．At，71．15．Nc DOI：10．7498／aps．63．016801 化学溶液衍生法，在单晶六角BN (h—BN)的基础 上成功制备了单层BN片状结构材料．Meyer等 1【3] 引 言 和Zhi等 [14]也成功制备并检测了单层或多层的 自从2004年在实验上获得 由单层碳原子构成 BN 晶体材料．尽管BN原子片与石墨烯有类似的 的石墨烯以来I卜11】，由于石墨烯的许多不同寻常 几何结构，但是h—BN、单原子层薄片BN 以及双原 的特性，一直被认为是很有前途的未来电子器件的 子层BN都是宽带隙半导体，禁带宽度在 4．3～4．6 基础材料．但 由于石墨烯是零带隙的半金属，这成 eV之间．BN原子薄片在实验上的成功获得，引领 为它在 电子学中应用的主要障碍，如何打开带隙成 科学家们进一步探索BN原子薄片在表面修饰后 为大家广泛研究的课题 [2-11】．通对石墨烯进行氢 的性质：Zhou等 [15】采用第一性原理方法研究了氢 化或者氟化，可以打开其带隙并获得具有有趣 电子 化和氟化的单层BN，发现了一些新奇的电子和磁 性质的新型二维材料：石墨烷 (graphane)[6】和氟化 学性质．李金等 1【6]研究了单轴大应变下单层六角 石墨烯 (fluorographene)[8】．理论上，Zhang等 。【】研 氮化硼的结构变化．谢剑锋等 1【7】研究了应变对单 究了双层石墨烯的表面氢化及其在外载下的结构 层、双层和三层BN原子片能带结构的影响．本文 和 电子性质，得到了双层石墨烯具有应变可控连续 中，我们采用第一性原理方法研究表面氢化的双层 调节能隙的结论，因此，人们也开始关注其他具有 氮化硼的结构和电子性质，通过对体系的能带结 类似结构的二维材料．三维六角氮化硼f3Dh—BN) 构、电子态密度 以及差分 电荷密度 的分析，研究了 具有类似于石墨的层状结构，层 内原子之间为sp0 氢化双层BN原子薄片的稳定结构以及相应的成键 杂化，有很强的共价键．实验上，Han等人 [12】采用 性质和电子结构性质，并讨论在双轴应变时氢化