晶体管原理及设计(半导体器件)答案.pptVIP

* 部 分 习 题 解 答 部分物理常数： 第 2 章 1 、在 N 区耗尽区中，高斯定理为： 取一个圆柱形体积，底面在 PN 结的冶金结面（即原点）处，面积为一个单位面积，顶面位于 x 处。则由高斯定理可得： 当 x = xn 时，E(x) = 0，因此 ，于是得： （2-5a） 3 、 4 、 6 、 ND2 ND1 8、(1) (2) 20、 24、 PN 结的正向扩散电流为 式中的 I0 因含 ni2 而与温度关系密切，因此正向扩散电流可表为 于是 PN 结正向扩散电流的温度系数与相对温度系数分别为 31、 当 N- 区足够长时，开始发生雪崩击穿的耗尽区宽度为： 当 N- 区缩短到 W = 3?m 时，雪崩击穿电压成为： 34、 39、 第 3 章 1、NPN 缓变基区晶体管在平衡时的能带图 NPN 缓变基区晶体管在放大区时的能带图 2、NPN 缓变基区晶体管在放大区时的少子分布图 3、 6、 7、 8、以 N