K波段预失真电路设计.pdfVIP

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2017-08-09 发布于安徽
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K波段预失真电路设计.pdf

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^ ^ Vol_35。No．1 第35卷第1期固体电子学研究与进展 2015年 2月射 RESEARCH PROGRESSOFSSE Feb．，2015 频与微波 I( 《 K波段预失真电路设计王文斌陶洪琪张斌 (南京电子器件研究所，南京，210016) 20141卜19收稿，2014一I210收改稿摘要：提出了一种基于单片集成电路的K波段预失真电路设计，采用 GaAs0．15 m HEMT工艺流片。该电路将主路信号与失真信号分离，利用并联分布的功放作为非线性产生器件，增大了两个功放输入功率差，具有较好的幅度和相位特性，芯片尺寸仅 1．9mm×3．0mm。测试结果显示，在 21GHz处，该预失真芯片可提供 3dB增益扩张和 2o。相位压缩。级联功放后，在三阶交调抑制为一30dBc的条件下，功率放大器的输出功率从 14dBm提高至 17．5dBm。关键词：线性化；预失真；功率放大器；单片集成电路中图分类号：TN43；TN722．7 5 文献标识码：A 文章编号：1000—3819(2015)01—003505 DesignofK--bandPredistortionCircuit W ANG W enbin TAO Hongqi ZHANG Bin (NanjingElectronicDevicesInstitute，Nanjing，210016，CHN) Abstract：A K—bandmonolithicmicrowaveintegratedcircuit(M MIC)predistortionlinearizer using0．15 ／am GaAsHEMT processispresented．Themainloopsignalisseparatedfrom thedis— tortionsignal，whiletwoparallel—distributedpoweramplifiersareutilizedasanonlineardevice． Furthermore，with increased ratio between thetWO PAs，the predistortercan achieveabetter AM—AM andAM—PM conversion．Thechipsizeis1．9mm ×3．0mm．Experimentalresultsshow thatthepredistortercan provideagain expansion up to 3 dB and 20。phasecompression at21 GHz．W iththethird—orderintermodulationdistortionratio (IMD3)below 一 30dBc，theoutput poweroftheamplifierincreasesfrom 14dBm to 17．5dBm． Keywords：linearization；predistortion；poweramplifier；monolithicm icrowaveintegratedcir cuit(MM IC) EEACC ：135OH ；1220