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12. 1.费米分布函数表达式 －物理意义： 电子达到热平衡时，能量为E的能级被电子占据的几率。 1）.费米能级Ef：反映电子的填充水平，是电子统计规律的一个基本概念。 2）.Ei表示本征情况下的费米EF能级，基本上相当于禁带的中线（略微偏离中线）。 -- 数学意义： 1） 当T= 0 时 若E Ef，则 f(E) ≈ 0 即高于费米能级几个kT的量子态几乎全为空量子态 若E Ef，则 f(E) ≈1 即能量低于费米能级几个kT的量子态几乎全被电子占据； Ef 为电子占据和未占据状态的分界线 2） 当T 0 时 E = EF ， f（E）= 1/2 E EF ， f（E） ? E EF ， f（E） ? 若E-Ef k0T ， f（E）= 1 若E-Ef k0T ， f（E）= 0 不同温度下费米分布函数与能量的关系 2. 导带和价带中载流子浓度的分布 3.载流子浓度和费米能级的关系 第一部分：态密度函数：晶体的能带中含有大量的量子态，单位体积内量子在能量上的分布用函数g(E)来表示，称为态密度函数。 结论：导带底和价带顶附近，单位能量间隔内的量子态数目，随电子 的能量增加按抛物线关系增大，即能量越大，状态密度越大。 第二部分：导带和价带中的载流子浓度跟费米能级的关系： 导带中E到E+dE内电子总数： 价带中E到E+dE内空穴总数： 整个导带中的电子数： 整个价带中的空穴总数： 第三部分：由于本征半导体中准自由电子的浓度等于空穴的浓度 第四部分：本征半导体中的载流子浓度跟费米能级的关系及费米能级的位置： Ei表示本征半导体的费米能级. 第五部分： 掺杂半导体中载流子浓度跟费米能级的关系及费米能级的位置： 掺施主浓度为ND的N型半导体的费米能级： 同理掺受主浓度为NA的N型半导体的费米能级： 13.本征半导体，N型半导体和P型半导体中费米能级的位置？ 本征半导体： N型半导体： p型半导体： 请画出本征半导体，N型半导体和P型半导体中的费米能级的位置（期末考试题）（平衡状态下） 14. 半导体中载流子的迁移率？影响迁移率的因素有哪些？ 迁移率是用来描述半导体中载流子在单位电场下运动快慢的物理量，是描述载流子输运现象的一个重要参数，也是半导体理论中的一个非常重要的基本概念。 迁移率定义为： 单位： cm2/(V·s) 电子迁移率： 空穴迁移率： 迁移率的导出公式：电子： 空穴： 影响迁移率的因素： 散射机制→ 平均自由时间→迁移率 最重要的两种散射机制：晶格散射：T↑，晶格振动散射↑，u↓ 杂质散射：T↑， 电离杂质散射↓，u↑ 掺杂很轻：忽略电离杂质散射 T↑，晶格振动散射↑，u↓ 高掺杂情况： 低温：电离杂质散射为主，忽略晶格散射 T↑，电离杂质散射↓，u↑ 高温: 晶格振动散射为主，忽略电离杂质散射 T↑，晶格振动散射↑，u↓ 15.扩散系数、漂移速度、欧姆定律的微分形式、电导率及平均自由时间跟迁移率的关系以及爱因斯坦关系？ 漂移速度（迁移速率） 欧姆定律的微分形式： 电导率和迁移率的关系： 爱因斯坦关系式： 意义：它把描述半导体中载流子扩散及漂移运输特征的两个重要常数(扩散系数及迁移率)联系起来。 16.利用连续性方程分析单边稳态注入的扩散问题。 单边稳态注入： 假设有一块N型半导体材料，通过某种方式，如使用适当频率的光照射半导体表面或正向PN结注入等方式，从它的一个侧面注入非平衡少数载流子，而且使边界处的非平衡少子浓度始终保持在△p(0)。由于边界处少子浓度高于体内，因此空穴会由表面向体内扩散，扩散的同时还会不断与电子复合。因此可以推断出，非平衡少子的浓度 应该由表面向体内不断降低。 半导体内少数载流子的微分方程式为 边界条件为pn(x=0)=pn(0)=常数，且pn(x→∞)=pn0。pn(x)的解为 非平衡载流子浓度降低为初始浓度的1/e所经历的长度 17.非平衡状态？准费米能级？非平衡载流子浓度跟准费米能级的关系？ 1.非平衡载流子的产生 热平衡状态，T一定时，载流子浓度一定。 热平衡状态下载流子浓度，称平衡载流子浓度：n0, p0 如果对半导体施加外界作用(光, 电等)，迫使它处于与热平衡状态相偏离的状态，称为非平衡状态。 此时： 平衡载流子