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實驗 電子受磁力作用的偏折 目的：利用陰極射線管（Cathode Ray Tube，CRT），，，e/m。 ，。，。，，，。 E中，E垂直，-eE的作用，，1所示。，SE為： 　　　　SE＝ (1) 其中，e，m，Z軸方向的運動速率，E，D，L為電極板的長度。 , , ,, 如果我們在平行板間的區域改如一磁場B，，2所示，，SI制表示其大小為：　　Sm＝ (2) 上式的導證過程中，，L，。 2）式都包含電子的e/m及，　　　 及其他量，E與SE或B與Sm值，1）式或（2）得到電子的e/m值。，1）式和（2）式把速率消掉，e/m值。 Thomson）利用另一種更好的方法來求電子速率。E，E的磁場B，E和B的大小，，，Sm＝SE，1）式及（2）式可以得到＝E/B（此時，，，eE＝eB，＝E/B）。值，1）式或（2）式算出e/m值。 B是在一個螺線管（Solenoid）上通以電流I而產生的。，B＝μ0nI (3) 其中n為線圈單位長度的圈數，I，0是磁導率（Permeability Constant）。SI制表示，BTesla，T，1T1wb/m2），IA），0＝1.26×10-6T-m/A，m）。 ，3)式是不正確的。，3）： B＝μ0nI(cosθ1-cosθ2)/2 (4) 圖3 儀器：陰極射線管及基座，CRT，，，，。 CRT基座電源線的五腳插在CRT電源供應器的對應插座上。，。，，CRT壽命。 ，。 ，、4所示。CRT上，，X偏折板之電場方向垂直。 CRT之加速電壓V1(標示”eht”之接線端。，DC1000V檔，。)，50毫安培），。，。 ，B＝0，X偏折板上加上各種不同電壓的直流電壓，，。，，，。 ，n，。 5～8中所得的數據與偏折板的間隔距離d(d = 2.5mm)計算e/m值。 VE(電場) S(位移) e/m(荷質比)*10^15 v(速度) 30 25 20 15 8 I(安培) B(磁場)*10^5 S(位移) e/m(荷質比)*10^10 V(速度) 0.01 0.02 0.03 0.04 （二）湯姆遜方法測量電子的e/m值： 在X偏折板間加一電場，Y方向的磁場。X 偏折板上的直流電壓，I（亦即調整電場或磁場強度），。V及電流I。 ，SE。 ，，。1～2，，。，e/m的平均值及平均標準差。 SE (V(E/B) e/m 0.01m 0.007m 0.005m （三）比較步驟（一）、e/m值，。 問題：1.在步驟（二）中，Y偏折板加電場使電子偏折，2.如果磁場方向平行於CRT的軸， 1 81