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第六章 半导体光电器件 第六章 半导体光电器件 6.1光电导型光电探测器件 6.2势垒型光电探测器件 6.1光电导型光电探测器件 一、概述 二、光敏电阻的结构 三、光敏电阻的工作原理 四、光敏电阻的特性 五、光敏电阻的特点 六、注意事项 一、概述 光电导型光电探测器件是利用光电导效应制成的均质型光电探测器件。典型的光电导器件为光敏电阻。 常用的光敏电阻有CdS硫化镉、CdSe硒化镉、InSb以及TeCdHg碲镉汞等。其中CdS是工业应用最多的，而PbS硫化铅主要用于军事装备。 Hg1-xCdxTe碲镉汞系列光敏电阻是目前所有探测器中性能最优良最有前途的探测器。 一、概述 在光电导体中，由于配制Cd组分(x量)的不同，可得到不同的禁带宽度Eg，从而制造出波长响应范围不同的Hg1-xCdxTe探测器。常用的有1~3μm、3~5μm、8~14μm三种波长范围的探测器，所以对大气窗口波段的探测非常重要 。 光敏电阻在光照下会改变自身的电阻率，且没有极性，只要把它当作阻值随光照强度而变化的可变电阻来对待即可，因此在电子电路、仪器仪表、光电控制、计量分析以及光电制导等领域得到了广泛的应用。 二、光敏电阻的结构 三、光敏电阻的工作原理 无光照射时 本征半导体 杂质半导体 四、光敏电阻的特性 1、光电导灵敏度 R 2、光谱响应特性 3、光照特性 4、伏安特性 5、响应特性（频率特性） 6、前历效应 7、温度特性 8、噪声 2、光谱响应特性 光谱响应特性是指光敏电阻的输出光电流I与入射光波长 之间的关系；也用相对灵敏度与波长关系。 不同的制作材料对同一入射波长的光吸收是不同的； 即使是同一材料，对不同波长的光吸收也是不同的。 可见，输出光电流值与光波长密切相关。 3、光照特性 光敏电阻的光照特性：指的是光电流与光通量或照度之间的关系 光电流I与外加直流电压V和入射光通量 或照度E之间的关系可用下面关系式表示 或 K为光敏电阻材料决定的常数 V为外加直流电源电压 　为系数，其值一般在0.5~1。 4、伏安特性 伏安特性：在一定光照下，光敏电阻的光电流与所加电压的曲线关系。 电源电压和负载电阻决定的负载线与伏安特性的交点，就是不同光照情况下的光敏电阻的工作点。 基本概念 暗电阻Rd ：无光照射时，光敏电阻值的大小。其值一般为几十千欧到几兆欧。 暗电导Gd ：暗电阻的倒数。 亮电阻Rg ：有光照射时的电阻值，其值与光照大小有关。 亮电导Gg：亮电导的倒数。 5、响应特性（频率特性） 光敏电阻受光照后或被遮光后，回路电流并不立即增大或减小，而是有一定响应时间。 原因：光敏电阻是依靠非平衡载流子效应工作的，非平衡载流子的产生与复合都有一个时间过程，这个时间过程在一定程度上影响了光敏电阻对变化光照的响应。 照度愈强，响应时间愈短；负载电阻愈大，tr愈短， tf延长；暗处放置的时间愈长，响应时间也相应延长。 实际应用中，尽量提高使用照明度，降低所加电压、施加适当偏置光照、使光敏电阻不是从完全暗状态开始受光照，都可以使光敏电阻的时间响应特性得到一定的改善。 5、响应特性（频率特性） 6、前历效应 前历效应：是指光敏电阻的时间特性与工作前“历史”有关的一种现象。前历效应有暗态前历与亮态前历之分。 暗态前历效应是指光敏电阻测试或工作前处于暗态，当它突然受到光照后表现为暗态前历越长，光电流上升越慢，其效应曲线如下图所示。一般，工作电压越低，光照度越低，则暗态前历效应就越严重。 7、温度特性 灵敏度、光照特性、响应率、光谱响应率、峰值波长、长波限都将发生变化，而且这种变化缺乏一定的规律 随着温度的升高光电导值下降，随着温度的下降光电导值增大，而与照度无关 8、噪声 光敏电阻的固有噪声主要有三种： 噪声（100Hz以下）； 产生-复合噪声（100Hz以上）； 及热噪声（1000Hz左右）。 　　　 五、光敏电阻的特点 1、体积小，偏置电压低，工作电流大，可达数毫安，光谱响应范围宽； 2、所测光强范围宽，即可测强光，也可测弱光，灵敏度高，无极性之分。 3、实际应用中，在紫外和可见光区，光敏电阻的优点不突出，主要用在自动相机和控光系统中。在红外区它的响应相对比较快、响应率较高，机械性能好，因而得到广泛应用。 4、时间常数一般为10-2～10-7秒，特制的可达10-10秒；响应时间长，频率特性差。 5、强光线性差，受温度影响大。 六、使用中应注意： 1）当用于模拟量测量时，因光照指数γ与光照强弱有关，只有在弱光照下光电流与入射光通量成线性关系。 ??? 2）用于光度量测试仪器时，必须对光谱特性曲线进行修正，保证其与人眼的光谱光视效率曲线符合。 ??? 3）光敏电阻的光谱特性与