绝缘栅双极型晶体管的电磁骚扰分布特性研究.pdfVIP

2012 年中国电机工程学会直流输电与电力电子专委会学术年会论文集 绝缘栅双极型晶体管的电磁骚扰分布特 性研究 刘奕，张卫东，崔翔 （新能源电力系统国家重点实验室（华北电力大学），北京102206） 摘要：为了研究绝缘栅双极型晶体管 （insulated gate bipolar transistor，IGBT）的电磁骚扰特征，本文首 先分析了IGBT电磁骚扰的主要来源及IGBT的开通及关断过程，然后采用基于有限积分法的CST软件对IGBT开关瞬态 进行电磁骚扰仿真。在仿真软件中建立相应实体有限积分模型，对其自身电磁场分布情况及其近场特性进行了定量 分析，得到相应自身的电磁场分布。依据计算数据对瞬态电磁骚扰的时域特征和频域特征作了系统的分析，得到了 瞬态电磁骚扰的总体特征。文中着重分析了IGBT的开关特性以及近场内的电场和磁场强度。分析结果表明：IGBT 在开通和关断瞬间产生的高电压和电流变化（dv/dt和di/dt）是其主要电磁骚扰源，产生的电磁骚扰也最严重。 关键词：绝缘栅双极型晶体管 开关暂态过程 电磁骚扰源 电磁暂态仿真 1 引言 随着电力电子技术的飞速发展，以现代开关器件IGBT 为核心的电压源换流器高压直流输电 [1] （voltage source converter high voltage direct current，VSC-HVDC ）在电力领域得到广泛应用 。 VSC-HVDC 在广泛应用的同时也对周围环境产生了相关的负面影响。如IGBT 在高频信号控制下 的开关作用，由于在开关开断瞬间会产生很高的dv/dt 和di/dt，因此开关对周围环境会产生严重 的、急待解决的传导干扰和辐射干扰问题。 从研究电磁骚扰的角度，进行电磁骚扰源特性分析主要是为了获得电磁骚扰的特征，为以后 IGBT本身及相连驱动电路电磁抗扰的相关设计提供依据。通常以开关电压和电流的变化率为骚扰 形式的IGBT在电磁骚扰分析中作为骚扰源，而从骚扰源到受扰设备的中间电路作为耦合传播途 [2] 径。在研究电磁骚扰过程中，骚扰源和耦合途径的研究是重中之重 。在大部分对IGBT的研究工 作中，主要的研究是侧重于对开关器件开关特性的描述、建立等效电路模型和电路分布参数的提 取上，并且都是采用电路或数学模型来阐述IGBT的工作原理和工作过程。在有的文献中，直接把 开关视为理想器件，没有考虑开关的过渡过程。即使有文献考虑了开关的过渡过程，也一般将电 压和电流的变化值（dv/dt和di/dt）看作是单一斜率并且忽略二极管反向恢复电流和器件的内部寄 [3] 生参数 ，从而不能精确地描述开关的内在特征和高频响应。也有文献对IGBT应用的功率变流器、 逆变器和基于Buck 电路等研究较多。然而，从电磁骚扰的角度来讲，将IGBT作为电磁骚扰源，对 其它设备和周围环境的影响的研究却很少。 本文的目的是通过对IGBT实物的仿真，得到开关暂态过程产生的近场模型。通过对此研究有 助于深入理解电压源换流器中IGBT的电磁骚扰特性及找到有效的EMI抑制措施，对进一步提高 VSC-HVDC 电磁兼容性具有重要意义。 951 2012 年中国电机工程学会直流输电与电力电子专委会学术年会论文集 2 IGBT电磁骚扰的主要来源 IGBT 开通和关断暂态过程产生的高电压和电流的变化是其对周围环境电磁骚扰的主要来源 （其开通瞬间电流的变化率可达几百A/μs，上升时间仅为几μs）；IGBT 开断时引起的电流变化直 接影响着与IGBT 相连的快恢复二极管，而快恢复二极管的反向恢复电流也是引起电磁骚扰的重 要原因之一；IGBT 在高电压下，以高频率开关工作时，输出电压和电流接近方波，由相关的频 谱分析可知，由于高次谐波含量丰富，频谱可达基波频率的上千次以上，因此辐射能力又进一步 提高。当IGBT 正常工作时也会产生电磁辐射，但是骚扰水平相对较低。 3 IGBT开关暂态建模