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薄膜转移工艺制备的128_128规模高架桥式电阻阵.pdf
第 卷第 期 年 月
41 3 红外与激光工程 2012 3
Vol.41 No.3 Infrared and Laser Engineering Mar. 2012
薄膜转移工艺制备的128× 128 规模高架桥式电阻阵
程正喜，马 斌，刘 强，张学敏，施永明，翟厚明
( 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室，上海200083)
摘 要： 采用新的薄膜转移工艺，成功制备了128× 128 规模的高架桥式电阻阵。电阻阵的单元尺寸为
50 μm×50 μm ，占空比50% 。初步测试了该高架桥电阻阵的两个基本指标，微桥的热时间常数和最高
等效黑体温度，并对该电阻阵进行了成像实验。采用电学法测试单个微桥的时间常数τ 约为4.5 ms ，
可在100 Hz 下工作。将整个面阵点亮，在8~12 μm 波段最高等效黑体温度达到250 ℃，推测在3~5 μm 波
段最高等效黑体温度超过300 ± 20 ℃ 。将整个器件全部点亮并驱动到最高温度时，器件的最大功率为
30 W 。该电阻阵可成功实现驱动显示成像。测试结果表明该高架桥式电阻阵初步满足红外景象产生
器的要求。
关键词： 红外景象产生器； 电阻阵； 薄膜转移工艺； 高架桥
中图分类号： + 文献标志码： 文章编号：
TN383 .5 A 1007-2276(2012)03-0559-04
128×128 resistor array with suspended micro-bridge fabricated
through film transfer process
Cheng Zhengxi, Ma Bin, Liu Qiang, Zhang Xuemin, Shi Yongming, Zhai Houming
(Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors, Shanghai Institute of Technical Physics,
Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China)
Abstract: 128 × 128 resistor array with suspended micro-bridge was fabricated through new film transfer
process. Each cell was 50 μm ×50 μm, with fill factor of 50% . Thermal time constant and maximum
equivalent blackbody temperature of the micro -bridge were tested. Thermal time constant was measured
of 4.5 ms through electrical method, which promised array work under 100 Hz frame rate. When all cells
on the chip were driven to the highest temperature, the maximum equivalent blackbo
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