2005欧姆接触中接触电阻率的计算.pdfVIP

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第 24 卷第 6 期大　学　物　理 Vol . 24 No . 6 2005 年 6 月 COLL E GE 　PH YSICS J une . 2005 欧姆接触中接触电阻率的计算 1 1 1 1 2 甄聪棉 ,李秀玲 ,潘成福 ,聂向富 ,王印月 ( 1 河北师范大学物理学院 ,河北石家庄　0500 16 ;2 兰州大学物理系 ,甘肃兰州　730000) 　　摘要 :从欧姆接触电阻率的定义出发 ,先从理论上介绍了热离子发射、热离子场发射和场发射三种不同情况下欧姆接触电阻率的计算公式 ,然后详细地从实验上综合各种测试方法 ,并讨论了其利弊. 关键词 :欧姆接触 ;接触电阻率 ;传输线模型 ( ) 中图分类号 : TN 304 07 ; TN 30593 ;O 472 　　　文献标识码 :A 　　　文章编号 :1000 07 12 2005 06 00 10 04 ) ( ) 　　半导体材料、器件的研制和应用在过去的十几 2 热离子场发射情况 TF E : 年中得到了迅速发展. 随着半导体器件的广泛应用, k T k T E00 ρ= co sh · 人们对这些材料欧姆接触的低阻性的要求越来越 c qA π( + μ) E k T B F 00 高[ 1, 2] . 大量的实验结果和理论分析表明: 良好的欧 E + μ μ 00 B E F 姆接触不仅可以改善器件的性能 ,而且还有利于提 cot h k T exp E00cot h ( E00/ k T) - k T 高器件的使用寿命. ) ( ) ( ) 3 场发射隧道穿透情况 F E : 欧姆接触电阻率是表征欧姆接触十分重要的一 π A q B ρ= exp - - 个参数 ,其值的准确度