正电子谱学湮没多参数测量技术应用.pdfVIP

10thNationalConferenceonPositronAnnihilation 正电子谱学湮没多参数测量技术及应用 王宝义，秦秀波，李卓昕，王丹妮，于润升，魏龙 中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室，北京100049 正电子在介质中的湮没行为强烈地依赖于材料的种类与状态，特别是当正电子被材料 中缺陷“局域化”，即正电子被缺陷捕获湮没时，其寿命与缺陷性质密切相关，可提供材料 微观缺陷的结构信息。正电子湮没技术通过测量和分析正电子与材料中的电子发生湮没产 生的伽玛射线的能量／动量分布以及正电子在材料中的湮没寿命等信息，成为研究各类材料 微观结构的重要和特色手段。特别是针对材料微观缺陷结构而言，正电子湮没技术相比其 它分析技术，可以直观和定量的提供如点阵空位、空位团等微观缺陷构型、浓度以及缺陷 周围的化学环境等信息。通过将正电子能量进行调制，即慢正电子束流技术，正电子湮没 技术可以对材料从表面到内部缺陷特性及微观结构随深度的变化进行测量分析，从而实现 对薄膜样品以及材料表面特性的研究。 正电子湮没技术的基本测量方法有三种，正电子湮没寿命测量、多普勒展宽测量、角 关联测量。正电子湮没寿命的测量通常采用高分辨时间谱测量系统进行，通过测量zzNa正 的时间差，实现正电子在被测样品中的湮没寿命测量。而对于慢正电子束流系统，正电子 湮没寿命的测量相对复杂，需要通过正电子束流斩波与聚束等加速器技术，获得时间测量 起点，也可通过测量正电子入射到样品时产生的二次电子做为时间测量起点，从而实现正 电子湮没寿命谱测量。正电子湮没寿命谱是正电子湮没方法最常用的测量技术，正电子的 湮没寿命与正电子在材料中“湮没位置”处的电子密度直接相关。 正电子湮没多普勒展宽测量通常采用高能量分辨的半导体探测器对J下电子湮没产生的 0．511MeV伽玛能谱进行精密测量，从而得到湮没1，的能量分布：正电子湮没角关联测量技 术采用一维或者二维的位置灵敏探测技术，测量两个湮没伽玛的角度分布，获得湮没伽玛 的动量分布，从而反映材料微观结构信息。 近些年来，随着正电子湮没技术的不断发展，特别是多参数测量系统的实现，如符合 多普勒测量方法、『F电子寿命一动量关联测量方法等，『F电子谱学技术得到了飞跃式的发 展，其应用领域得到很大扩展。 正电子湮没过程包含了详细的电子动量分布信息，『F电子湮没多普勒展宽谱的低动量 部分对应于正电子与传导电子或价电子的湮没信息，而高动量部分则主要反映了内壳层电 子的动量分布信息。常规多普勒展宽测量由于测量本底非常大，高动量电子的湮没信息几 乎被测量本底所掩盖。 正电子进入材料中与电子发生湮没后放出两个能量约为0．51 lMeV的1，光子，两个湮没 结合能；两个湮没光子的能量差为，△E≈c·P，其中P表示实验室坐标系统中电子的动量。 12l lOthNationalConferenceonPositronAnnihilation 可见两个湮没丫光子的总能量和与能量差表征了与正电子发生湮没的电子的状态及动量分 布。正电子湮没符合多普勒测量技术(CDB．Coincidence Doppler 年来发展起来的多参数测量技术，同时测量湮没辐射的两个共直线丫光子的能谱，通过时间 和能量符合以消除测量本底的影响，把高动量电子的湮没信息分离出来，从而得到电子结 合能以及电子的动量分布信息。结合正电子湮没寿命谱测量结果，正电子湮没技术不但能 够给出正电子“湮没位置”即固体材料中微观缺陷种类及浓度等定量信息，而且能够表征出 正电子“湮没位置”处的元素种类或者化学环境，如缺陷近邻原子的种类等，从而确定缺陷 周围元素的化学状态、空位复合体的特性等，对研究化合物半导体和金属间化合物等晶体 材料微观缺陷结构具有重要的意义。 正电子的每一个湮没过程都包含有时间和动量分布的信息。实验得到的是各个湮没方式的叠加信 息。正电子湮没时间、动量谱可表示为： y。，扣喜们o)÷exp(％) 其中，r／为湮没方式的数目，％，五分别是第f种湮没方式的正电子寿命和相对强度， P，刎