a—Si：H光衰效应和结构特性研究.pdfVIP

维普资讯 ／一 兜一 ， 壤 掏．磷 上海硅t盐 No．1， 199d a-Si：H光衰效应和结构特性研究 ㈣ 科 黑 酸 200050 岁／ (中国科学院上海硅酸盐研究所 ) r ／ 歹 ／ ． 利甩红外 (IR)和复释放谱相结 占的方击，研究 a一8i：H 的特构性能与其光衰效应的关系．结果发现：随着Br古 越的增加，a—Si：H 的结构变得越来越均匀 而 目结构稳定性增加．同州 #光衰效应下降，空中还对材料的电导率、 一 、 引 言 1977年， D．Staebler和 Wronski发现辉光放 电沉积的a-Si：H薄膜经长期 暴 露于 吸 收 光 后，其光 电导和暗电导都下降，在高于 150℃下退火可能恢复，该效应后 被称为 Staebler--Wro- nski效应 [】】，此后，世界各国的学者对这一效应进行了多方面的研究，发现在 电子 自旋共振㈣、 DOS 、太阳能电池 中均有可逆的光致衰减效应，至今对该效应的起因仍有不 少 争议，造成 衰减的机制也尚无定论 ，成为迄今国际非 晶硅材料研究中的热 门课题 。 用红外 (IR)吸收光谱和氢释放谱相结台的方法研究a-Si：H材料的结构特性，近年来 已有不 少报道 】，本文借助这两种方法来研究B，Br元素掺杂后a i：H的光电性能 和 甚内部结构的 关系，对 a-Si：H材料的s_-w 效应的起因作进一步的分析。 二、实 验 方 法 a．Si：H样品采用 电容耦 台的射频辉光放 电系统沉积， 电极间距为 2cm，衬底 温度 控 制 在 300~C，95 料玻璃衬底用于光、电特性测量， C-Si衬底 用于 IR、H释放谱测量， 卤素 Br遥过 改变其偏压 以达到不 同程度 的掺杂。 三、实 验 结 果 ● ， 1．IR，光谱 在 中红外区， a．Si：H薄膜 中的各种硅氢基团发生吸收振动，从 以往的研 究 中 发现， 存 a— SilH 网络中，除了Si-H基 团外，大量 的氢以 SiH 、 SIH。结构存在于 网络 的 联 结 组 织 Tisse 中，所 以一般认为 瞄 i：H材料 以两相结构存在，在 IR谱 中， 分别对应 2000∞ 及 2100cmI1 处的吸收蜂及其强度，大的2100cmI1吸收峰标志着a-Si：H薄膜 中si ，Sill。成分，即Tissue 增多 实验 中通过改变Br的分压，观察J。 ／J：m 的变化，其结果示于 图 ]。 可见，随着Br岔 一 31— 维普资讯 - 穹 * 错 嗵 嘲 波数 fcm ) 疆 度 f℃ ) 圈 1 不同台量 Br搀杂 a—Si：H的红外光谱 图 2 Br掺杂非晶硅氧释放谱研究结果 日t( orr)：i．0，Z．Z×l旷’； PBr(Torr)：1．0；Z 2xi旷 ‘；