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维普资讯 第 36卷 第3期 人 工 晶 体 学 报 V01．36 No．3 2007年 6月 JOURNAL 0F SYNTHETIC CRYSTALS June，2007 pH值对 KDP晶体位错结构的影响 钟德高 ，滕 冰 ，张国辉 ，李晓兵 ，鲁晓东 ，王东娟 ，王庆国 (1．青岛大学物理科学学院，青岛266071；2．济南大学材料科学与工程学院，济南 250022) 摘要：在一定的过饱和度下，分别用点状和片状籽晶在不同pH值溶液中生长出了KDP晶体。利用化学腐蚀法对 KDP晶体的不同晶面进行了腐蚀，得到了清晰的位错蚀坑。应用光学显微镜对位错蚀坑的分布特点和密度做了观 察分析，发现很多位错蚀坑成线状排布。pH值对KDP晶体位错密度有较大影响，低 pH值条件下生长出的晶体位 错密度较大。测试了KDP晶体样本的透过率 ，结果表明位错密度对KDP晶体的透过率没有明显的影响。 关键词：KDP晶体 ；位错；化学腐蚀；透过率；pH值 中图分类号~0782 文献标识码 ：A 文章编号 ：1000-985X(2007)03-0501-06 InfluenceofpH ValueonDislocationStructureofKDP Crystal ZHONGDe-gao ，TENGBing ，ZHANGGuo—hui，LIXiao—bidg ， LUXiao—dong ，WANGDong-juan，WANGQing-guo (1．PhysicsScienceCollegeofQingdnoUniversity，Qingdno266071，China； 2．SchoolofMaterialsScienceandEngineering，Jinna University，Jinna 250022，China) (Received24October2006，accepted11December2006) Abstract：Underpropersupersaturation，KDP crystalsweregrowninthesolutionwithdifferentpH values byuseofpointseedandplate—likeseed,respectively．Properetchantswerechosentoetchdifferentplanes ofKDPcrysta1．Cleardislocationetchingpitswereobtained．Thedistributioncharacteristicsanddensityof dislocationetchingpitswereobservedandanalyzedbyoptical microscopy．Itwasfoundthatlotsofetching pitswereinline．pH valuehavelargeinfluenceondislocationdensityofKDP crysta1．Thesamplegrown from the solution with low pH valuehasbiggerdislocation density．The transmittanceofKDP crystal sampleswastested．Th eresultshowed thattherewasnodirectrelationship between dislocation density andKDP crystaltransmittance．