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化学修饰电极膜厚度的实验计算方法探讨.pdf
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化学修饰电极膜厚度的实验计算方法探讨
南通医学院(226001)顾海鹰
摘要本文提出一种计算化学修饰电极膜厚度的方法,并用血红蛋白组装在纳米金胶固定的半胱胺修饰金电极
进行验证,计算值与原子力显微镜(A刚)实验测得值一致。对不满足√廿M测量条件的其它化学修饰电极,该法也可
计算其膜厚度。
关键词化学修饰电极膜厚度
在实际的电化学体系中,交流阻抗复平面图的图形 表观速率数k变小。由图中的结果和方程1可计算出
往往是两种极限情况的结合,见图l。在高频区,为界丽 金电极的表面覆盖度e,这里醚是裸金电极上的电荷交
电荷转移动力学(&)控制的半圆形;低频区为扩散(乙)换电阻。对单电子一级反应,当G。=%=c时:
控制的直线。介于两者之间的部分为混合控制区。至于
o=卜争 (1)
在什么频率以上图形表现为半圆,什么频率以下图形表
现为直线则与具体电化学体系有关。 R=器 (2)
在具体电化学体系中,从交流阻抗图谱(EIS),电子 jo=Fk印pC (3)
k唧=k0(1一e) (4)
转移动力学和扩散特点能被解析。至于EIS,其半径等
其中j0为交换电流密度,k0为标准反应速度常数,C
于电子转递阻力,&。对固定的血红蛋白(Hb)在纳米金
为反应物质的浓度。由此可计算出k。(c—s)‘们。
胶粒子修饰的半胱胺金电极,&决定其界面对氧化还原
方法二在平衡状态下,民能转变为交换电流i0(方
探针Fe(cN):一/Fe(cN)i一的电子转移动力学“)。
计算得到。这里R、T、F具有通常的物理意义,A是电极
每个氧化还原探针分子的电子转移数目。
&=器,i0=器 (5)
i0=正、Ak[S] (6)
Rn Rn+1/2Rrt地件I“ 根据民、n、T、A可计算出kc。∞’。
图1 全频率范围的交流阻抗复平面图 2.电化学反应速率常数的测定
1.电极反应表观速率常数的测定
方法一图2显示了氧化还原探针电对在裸金电极 电子转移速度常数k可通过下列方程获得拍)。
和}m修饰电极上的复数阻抗图‘2’3)。在裸金电极上氧化
还原探针电对发生可逆的氧化还原反应,因此高频区的半 !!!二竺!堂当 r7、
…7
径很小,整个图谱表现出反应warb,堰阻抗的一条直线。 2.3R,I’
在不同的扫描速度下得到不同的△Ep,从而可估算
出k大小。
3.修饰膜厚度(X)的测定
根据文献‘6’有下列方程:
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