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巨磁阻锰氧化物薄膜材料 王乐 巨磁效应（Giant Magnetoresistance） 巨磁阻效应是一种量子力学和凝聚态物理学现象，磁阻效应的一种，可以在磁性材料和非磁性材料相间的薄膜层（几个纳米厚）结构中观察到。这种结构物质的电阻值与铁磁性材料薄膜层的磁化方向有关，两层磁性材料磁化方向相反情况下的电阻值，明显大于磁化方向相同时的电阻值，电阻在很弱的外加磁场下具有很大的变化量。 磁阻的定义：MR=Δρ/ρ=（ ρ0 -ρ H）/ ρHx100% 锰氧化物具有巨磁阻效应 锰氧化物薄膜制备工艺 主要的两种制备方法：激光脉冲沉积（PLD）、磁控溅射。 步骤：1、制备和薄膜组分相同的成分的陶瓷靶材。2、PLD：用Kr F2准分子激光器对靶材进行脉冲激光照射；磁控溅射：一般选择具有钙钛矿结构的基片，从经济上考虑，可使用价格低廉的Si基片。3、薄膜沉积过程中，为保证膜中氧含量的化学配比，可用O2、N2O、臭氧作为反应气体。 PLD PLD是一种利用激光对物体进行轰击，然后将轰击出来的物质沉淀在不同的衬底上，得到沉淀或者薄膜的一种手段。 PLD一般可以分为以下四个阶段： 1. 激光辐射与靶的相互作用 2. 熔化物质的动态 3. 熔化物质在基片的沉积 4. 薄膜在基片表面的成核（nucleation）与生成 巨磁阻锰氧化物薄膜的应用 巨磁阻效应自从被发现以来就被用于开发研制用于硬磁盘的体积小而灵敏的数据读出头。到目前为止，巨磁阻技术已经成为全世界几乎所有电脑、数码相机、MP3播放器的标准技术。 磁阻传感器：线性和角位置传感器、电流传感器、生物传感器、车辆探测、GPS导航等 诺贝尔奖 瑞典皇家科学院2007年10月9日宣布，法国科学家阿尔贝·费尔和德国科学家彼得·格林贝格尔共同获得2007年诺贝尔物理学奖。这两名科学家获奖的原因是先后独立发现了“巨磁电阻”效应。 瑞典皇家科学院在评价这项成就时表示，2007年的诺贝尔物理学奖主要奖励“用于读取硬盘数据的技术，得益于这项技术，硬盘在近年来迅速变得越来越小”。这项技术被认为是“前途广阔的纳米技术领域的首批实际应用之一”。得益于“巨磁电阻”效应这一重大发现，最近20多年来，我们开始能够在笔记本电脑、音乐播放器等所安装的越来越小的硬盘中存储海量信息。 谢谢！