TFT阵列基板Cu导线的H202及N0n-H202蚀刻液特性研究.pdfVIP

阻，因此也需要采用其他金属层进行过渡【51。目前 浸泡的方式，通过加温装置保证所需的药液温度 较为常用的是采用难熔金属作为过渡的粘结层和 阻挡层，例如Mo，Ti等[5-91。 淋的方式用去离子水清洗3．5分钟，后置于恒温80 ℃的保温炉中进行干燥。本次工作使用具有]0um 本文主要研究作用于Cu／Metals的H202基和 宽度的Cuslit的版图来验证cIl蚀刻液。参考行业内 Non-H202基刻蚀液，研发初期主要集中在用予蚀刻 现有制程能力制定出此次验证Cu蚀刻液作用的规 液对金属导线的湿刻蚀特性上。目前，行业内已经 CD 格，即Singleloss(CD,CriticalDimension)为 有相关授权的CilIMo结构专利，且根据B．-H。Seo等 人之前的工作表明【7，to]，Cu／Mo金属结构具有明 铜刻蚀液储存寿命为6周，FeCl3基铜刻蚀液储存寿 显的电化学效应即“接触电极效应”，会在湿式蚀刻 命为6个月。 过程中产生Cu，Mo金属蚀刻的“反转现象’’，造成 表格2十六点测基Cu／Metals方块呶限测试 高的taper角及undercut现象。因此，我们也配比了 不含H202的混酸蚀刻液，根据Cu／Metals结构的刻蚀 金属结构 16点平均方块电隰 效果并结合刻蚀机理对其结果进行了讨论。文章对 不均匀性 (250nm尼0me) (创口) 我们初期的工作进行了讨论及总结，希望我们的工 Cu／Metall Cu／Mo 0．090 1．1％ 作能够抛砖引玉，促进同行间的相互探讨，旱日使 Cu制程能够在生产上得到应用。 Cu／Metal2 a【删 O．092 1．1％ 2。试验过程 3．作用于Cu／Mo导线的№02刻蚀液 采用直流磁控溅射设备制备了纯Cu／Mo及纯 C“Ti两种金属结构的薄膜，金属厚度设计为Cu薄3．1 H202基刻蚀液基本成分及工作原理 膜厚度为250nm，下层的过渡金属Mo或Ti厚度为 在H2砚基刻蚀液中，通常由4部分组成，如表 20nm。试验基板采用9inch测试基板(Cottons 格l所示：H202基刻蚀液中氧化荆根据其反应机理 1737)，工作区域为20×20cm2，薄膜方阻采用广州 及过程主要分为主氧化剂及辅助氧化剩两类，如图 四探针电子科技有限公司第一分公司Fourtech的 l所示为氧化剂中辅助氧化剂的离子色谱(IC，Ion RTS-9型测试，薄膜厚度测试采用Ambios Chromatography)测试缩果。 XP-2surface technology profdometer，垂直分辨率达 表格3 H202基刻蚀液中主要化学成分 到IA／]0um满足项目测试要求。为保