HfO_2与Al_2O_3混合原子层沉积反应机理的密度泛函理论研究.pdfVIP

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2017-08-08 发布于安徽
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HfO_2与Al_2O_3混合原子层沉积反应机理的密度泛函理论研究.pdf

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29 2 Vol. 29, No . 2 2008 6 Journal of Hebei University of Science and T echnolo y June 2008 : 2008) H fO Al O 2 2 3 1 2 3 1 周广芬, 崔永琴 , 于战海 , 任杰 ( 1. 河北科技大学理学院, 河北石家庄 050018; 2. 张家口市环境监测站, 河北张家口 075000; 3. 宣化钢铁集团有限责任公司, 河北宣化 075100) : 度泛函理论研究了用HfCl4 和Al( CH3 ) 3 作为前体, HfO2 和Al2 O3 在硅表面的原子层 * 沉积的机理, 其包括2 个沉积半反应: ( 1) HfCl4 和A l OH 的表面反应; ( 2) A l( CH3 ) 3 和Hf OH* 的表面反应计算结果表明, 2 个半反应过程机理相似, 内禀反应坐标研究也表明2 个半反应经历了相似的过渡态和副产物的消除路径另外, 升高反应温度, 反应( 1) 中间体的解吸附作用增强, 而活化能降低, 反应( 2) 活化能基本不变 : 度泛函理论; 介质氧化物; 原子层沉积 : O641 : A Surface reaction mechanisms of HfO2Al2 O3 alloy rown on silicon by atomic layer deposition: A density functional theory study 1 2 3 1 ZHOU Guan fen , CU I Yon qin , YU Zhanhai , REN Jie ( 1. Colle e of Sciences, H ebei University of Science and T echnolo y, Shijiazhuan Hebei 050018, China; 2. Zhan jiakou Station of Environmental Protection Monitorin , Zhan jiakou H ebei 075000, China; 3. Xuanhua Iron and Steel Group Company Limit ed, Xuanhua H ebei 075 100, China) Abstract: Densit y functional theory ( DFT) is employed to investi ate atomic lay er deposition ( A LD) mechanism of hafnium ox ide ( H fO ) and alumina ( Al O ) on silicon surface. T he A LD process usin H fCl and Al( CH ) as precursors in t his study 2 2 3 4 3 3 involves tw o alt ernate deposited halfreaction