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第 卷增刊 半 导 体 学 报
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方测宝 王晓亮 刘 超 胡国新 王军喜 李建平 王翠梅 李成基 曾一平 李晋闽
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中国科学院半导体研究所 北京 ,+++-0
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摘要 采用 技术在非有意掺杂的条件下 在 面蓝宝石衬底上制备出了高阻的 单晶薄膜样品 用扫
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描电子显微镜和原子力显微镜分析样品显示 $
外延膜的表面十分平整 表面粗糙度仅有 样品的 射
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发现样品的室温电阻率高达 3 $ 下的电阻率约为 3
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薄膜的主要方法有 离子注入法 ’ ) 型杂质
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