24小时（包含假日）磁卡使用权限申请流程说明.doc

24小時 包含假日 磁卡使用權限申請流程說明 所有申請自行操作儀器程序完成後，其磁卡權限只有周一至周五8:00~17:00時間可使用。如需擁有24小時 包含假日 磁卡使用權限，其相關規定與申請方法如下所示 : 奈米中心儀器 Sputter或PECVD-PD240儀器24小時使用權申請方法: 1 未修過具成績或學分之半導體實驗課程，而以其它半導體相關訓練證書取得本中心上班時間自行操作資格者，自即日起，可以提出24小時自行操作申請。然本中心各設備仍僅提供外校教授每項設備一位研究生申請24小時自行操作。 2 凡具備半導體製程實務工作經驗兩年以上或完成半導體製程方面碩士、博士論文者經過審查，比照修過半導體課程資格，得申請24小時自行操作儀器設備。 3 請依身分不同至表格下載Download 24小時自行操作實作記錄表』表格 一部儀器設備填寫一張記錄表 ，並請先將表單給NFC何小姐核章，即可由合格訓練員陪同並持此表單於夜間進行夜間累積，填寫完後請找各機台技術員簽名再將「24小時自行操作實作記錄表 」繳交給奈米中心何小姐，並可至各儀器設備24小時自行操作查詢是否通過24小時使用資格， 如已通過者，請記得帶奈米中心識別證找何小姐貼24小時標籤。 非奈米中心儀器 其他儀器24小時使用權申請方法: 如需擁有24小時 包含假日 磁卡使用權限，請填寫『』，並請參照各儀器設備申請24小時自行操作實作次數規定填寫。 NFC 器設備名稱 三個月內累 積實作次數 1. 濕式工作台（Wet Bench） 3次 2. 光罩對準曝光機與光阻處理系統（黃光） 5次 3. 紅外線光罩對準曝光機（雙面對準儀）IR Aligner 5次 4. 紫外光臭氧去光阻機（UV Ozone） 5 5.氧化擴散系統（爐管） 3次 6. 低壓化學氣相沉積系統（LPCVD） 5次 7. 電漿輔助化學沉積系統（PECVD）PD220 5次 8. 熱阻絲蒸鍍系統Thermal Evaporation Coater 3次 9. 雙電子鎗蒸鍍系統Dual E-Gun Evaporation System 5次 10.真空濺鍍系統Sputter System A台 4次 11.真空濺鍍系統Sputter System B台 4次 12.導電性材料活性離子蝕刻機（POLY-RIE） 5次 13.導電性材料活性離子蝕刻機（HDP-RIE） 5次 14.介電性材料活性離子蝕刻機（RIE200L） 5次 15.多腔體電漿蝕刻系統 P5000E 5次 16.光學步進曝光機 I-line Stepper 5次 17.原子層沈積系統 ALD 5次 18.橢圓測試儀 5次 其它單位進駐固態大樓潔淨室之儀器設備，比照上列同類型設備辦理