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氨合成升温还原操作要点.docVIP

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氨合成升温还原操作要点.doc

升温还原操作要点 2 W??V! ? j6 f- M. w8 ?. |还原条件采用“三高三低法”,即高氢、高循环量、高电炉功率(中、低下部触媒还原而言),低水汽浓度、低还原温度、低氨冷温度。6 o7 W8 e% f% P 还原应在尽可能低的温度下进行,以确保触媒的低温活性,还原主期控制在430—460,最高还原温度控制不超过495,并稳定6小时以上,以确保触媒达到较高的还原度。在还原末期触媒层底部温度尽可能达到475以上。1 y- L, E0 O r/ u( j6 y 还原过程中,采取尽可能大的空速,以确保水汽浓度还超过2.5g/m3。 ) f! Y+ c4 `0 l0 q. P整个还原过程中,要尽可能地降低氨冷器温度,即降低入塔气的水汽浓度和氨含量,减少已还原的触媒因被反复氧化还原而活性下降,同时又可利用反应热,用以加大循环量。 b% Y; P* b5 \ i??L4 i操作中应尽可能控制平面温差5。! N, ^4 Z% p t* X _; O 用层间冷凝阀或冷管束调节阀控制顶底温差,以达到分层还原的目的。 7 q A( h }+ ~ L; f在升温还原中,精炼气要根据H2含量和惰性气的高低视情况补气或排放。6 v9 C y% M6 {% l- L 在具体操作中应在保证还原条件的前提下,对触媒进行分层还原。. X??U8 [9 {, X7 G0 @ A、在分层还原中,可以保证第一段触媒各点在其所要求的最高还原温度下还原彻底,提高一段触媒的利用率。8 N8 v- y* E/ y( i) a B、分层还原不强调缩小顶底温差,反而要适当拉开层与层之间的温差,当上层触媒正在大量出水时,下段触媒还未或刚进入还原初期,这样可使下层触媒不致反复氧化还原,影响还原后的活性,因此分层还原更能有效地确保触媒还原的质量。3 D0 p: n- w K2 c! E+ t6 O C、利用上层己还原触媒的合成氨反应热、弥补电炉功率的不足,完成下部触媒的升温还原。 : \: x6 _2 Z P: P$ H- P) A6、触媒的分层还原操作 4 D4 N1 ?# k% j) T _升温期(常温~380)$ |. n+ b! T6 q5 {- F. ~ 此阶段触媒热点由室温升至380,升温速率40~45/h,热点控制在一层,底部温度280,触媒热点温度达到350时,升温速率降至20~30/h。 - n1 n, B: g% E??F! e当水冷器出口气体温度达40开冷却水。??~4 M1 z# o2 m 压力控制在5.0MPa,循环量不宜太大,应根据触媒层顶底温差调整循环量,冷激阀和冷管阀关闭。3 F Z/ b* G T( c) M 热点300左右,排放物理水(作好记录,不计入出水总量中),当触媒温度升至350以上时,开始还原出水,此时要及时降低氨冷温度,排放出水。氨冷温度控制在-5以下,放水频率1次/h,水汽浓度分析频次2次/h。8 L! l: P3 G??{/ v6 q/ K3 r) o- _ 时间按排10小时。 4 N??v2 O/ v4 B7 {7 A??f上层还原期(380~430)) w7 T2 ?/ }0 [* Z9 A 热点温度升到380,开始上层触媒的还原,上层触媒还原是从初期、主期到末期,基本做到一次性还原好。9 o ]5 U k* L9 ] r0 u# p6 q 工艺条件:压力5.0~7.0MPa,循环氢75%,氨冷温度-10,调节系统近路控制循环量稳定。 . [6 ]/ _3 L5 ^ x3 y4 L上层触媒的升温还原分三个阶段进行。) g5 F/ {- s- X4 ^) J??Q 第一阶段触媒热点温度由380~430,底层温度控制在≤280,升温速率9/h,压力5.0MPa,氨冷温度控制在-10以下。8 Q; D! z u5 M$ b1 y/ K 时间按排6小时。 1 I$ g }3 X4 w) _第二阶段触媒层热点温度由430~460,底层温度300,升温速率2~3/h,压力5.0MPa,氨冷器温度控制在-10~-15以下。 T5 j, t3 h) A# Y: P( y T) J时间按排10小时。1 ^$ U/ m# f3 J4 M$ X% E??i 第三阶段触媒层热点温度由460~495,底层温度控制在≤320,升温速率3~4/h,压力5.5MPa,氨冷温度控制在-10~-15℃以下。 * L: v }+ Y2 |- _时间按排10小时。 0 {) P- f1 F; a# C E X/ t当触媒层热点温度495时,恒温8小时,底部温度350,压力5.5~7.0MPa,氨冷器温度-10~-15以下。2 v7 D, B: ?6 g6 I4 T( {. V 此阶段时间共按排34小时。 ) R3 H2 l??@9 {) r3 \此阶段要

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