华南理工大学广州学院2011-2012学年度高电压复习要点.docVIP

绪论 输电电压一般分为高压、超高压（SHV）和特高压。目前国际上高压一般指35-220kV的电压；超高压一般指330-1000kV的电压；特高压一般指1000kV及以上的电压。而高压直流（HVDC）通常指的是 600kV及以下的直流输电电压， 600kV以上的则称为特高压直流（UHVDC） 第一章 1.电离方式可分：热电离、光电离、碰撞电离(主要的电离方式)和分级电离。P12 2.带电质点的消失可分带电质点受电场力的作用流入电极、带电质点的扩散、带电质点的复合。P15 3.（考点）电子崩：电子将按照几何级数不断增多，类似雪崩似地发展，这种急剧增大的空间电子流被称为电子崩。 电子崩的示意图： 4.电子碰撞电离系数 表示一个电子沿电场方向运动1cm的行程所完成的碰撞电离次数平均值。P17 5.（计算题）如图为平板电极气隙，板内电场均匀，设外界电离因子每秒钟使阴极表面发射出来的初始电子数为n0 由于碰撞电离和电子崩的结果，在它们到达x处时，电子数已增加为n，这n个电子在dx的距离中又会产生dn个新电子。P17 抵达阳极的电子数应为： 途中新增加的电子数或正离子数应为：（主要的公式） 将式的等号两侧乘以电子的电荷，即得电流关系式： 6.汤逊理论P19-20 （1）过程与自持放电条件 设外界光电离因素在阴极表面产生了一个自由电子，此电子到达阳极表面时由于 过程，电子总数增至 个。因在对系数进行讨论时已假设每次电离撞出一个正离子，故电极空间共有（ －1)个正离子。由系数 的定义，此（ －1）个正离子在到达阴极表面时可撞出 （ －1）个新电子，这些电子在电极空间的碰撞电离同样又能产生更多的正离子，如此循环下去。 自持放电条件为 ：一个正离子撞击到阴极表面时产生出来的二次电子数 ：电子碰撞电离系数 ：两极板距离 7.电晕放电：在极不均匀场中，当电压升高到一定程度后，在空气间隙完全击穿之前，小曲率电极(高场强电极)附近会有薄薄的发光层，这种放电现象称为电晕。电晕放电是极不均匀电场所特有的一种自持放电形式。P22 归结为三个条件：极不均匀场；电压达到一定值；空气间隙没有完全击穿；小曲率半径。根据电晕层放电的特点，可分为两种形式：电子崩形式和流注形式。 8.电晕放电的危害、对策及其利用： 电晕放电引起的光、声、热等效应使空气发生化学反应，都会消耗一定的能量。电晕放电中，由于电子崩和流注不断消失和重新出现所造成的放电脉冲会产生高频电磁波，从而对无线电和电视广播产生干扰。电晕放电还会产生可闻噪声，并有可能超出环境保护所容许的标准。P23 9.降低电晕的方法：从根本上设法限制和降低导线的表面电场强度。在选择导线的结构和尺寸时，应使好天气时电晕损耗接近于零。对于超高压和特高压线路的分裂线来说，找到最佳的分裂距，使导线表面最大电场强度值最小。P23 10. 棒-板电极，棒为正极时，击穿电压高；棒-板电极，棒为负极时，击穿电压低。 11.伏秒特性：气隙的击穿电压就与该电压作用的时间有很大关系。P33 12.提高气体击穿电压的措施： P37-39 电极形状的改进:使空间场强分布均匀，从而提高气体击穿电压。目的：以改善电场分布，提高间隙的击穿电压。 空间电荷对原电场的畸变作用:产生空间电荷，改善空间场强，从而提高击穿电压。 极不均匀场中屏障的采用：屏障的作用在于屏障表面上积聚的空间电荷，使屏障与板电极间形成较均匀的电场，从而使整个间隙的击穿电压提高。 提高气体压力的作用：提高气压可以大大减小电子的自由行程长度，从而削弱和抑制了电离过程，从而提高击穿电压。 高真空和高电压强度气体SF6的采用：抑制碰撞电离，从而提高击穿电压。 13.污闪：污秽层受潮变成了覆盖在绝缘子表面的导电层，最终引发局部电弧并发展成沿面闪络，这就是污闪。污闪的次数在几种外绝缘闪络中不算多，但是它造成的损失却是最大的。P45 14.污闪的发展过程：污秽层的形成、污秽层的受潮、干燥带形成与局部电弧产生、局部电弧发展成闪络。P45 15.(简答题)提高沿面放电电压（闪络电压）的措施：屏障屏蔽、提高表面憎水性、消除绝缘体与电极接触面的缝隙、改变绝缘体表面的电阻率、强制固体介质表面的电位分布。P48 屏障是指改善电极的形状，使电极附件的电场分布趋于均匀，从而提高沿面闪络电压； 对电瓷、玻璃等介质表面涂抹憎水涂料，可以大大提高沿面闪络电压； 电极与绝缘体接触而不密合，若将电极与绝缘体的缝隙烧铸嵌装在一起，可以减小缝隙处的局部放电，从而提高沿面闪络电压； 槽口附件绝缘体表面的电位梯度很高，很容易发生沿面放电，在槽口附件涂上半导电漆，使绝缘表面电阻减小。减小绝缘表面的电位梯度，从而大大提高沿面闪络电压。 第二章 1.液体电介质的击穿条件：碰撞电离开始作为击穿条件和电子崩发展到一定大小。P5