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2015-07-20 发布于福建
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用于四结电池的InGaAsN材料研究.pdf

　第 34卷第 5期　　　　　　　　人　工　晶　体　学　报　　　　　　　　 Vo l. 34　No. 5 　 2005年 10月　　　　　　　　 JOURNAL OF SYN TH ETIC CRYSTAL S　　　　　　　　　　O ctober, 2005　用于四结电池的 InGaA sN材料研究 1, 2 1 2 乔在祥 ,赵新杰 , 陈文浚 ( 1. 南开大学信息技术科学学院 , 天津 30007 1; 2. 天津电源研究所 , 天津 300381) 摘要 :随着 InGaP / InGaA s/ Ge三结太阳电池技术日趋成熟 ,具有更高理论效率的基于 GaA s体系的四结电池新材 2 ( ) 料 A lInGaP / InGaA s/ ? 新材料 / Ge 已经受到人们的关注 ,经过计算 ,要求新材料的禁带宽度应该为 0. 95eV ～ 1. 05eV 。In Ga A s N 材料的禁带宽度可以调整为 0. 95eV ～1. 05eV ,是有望实现突破的材料。我们通过选取合 x 1x 1y y 适的生长方案 ,在 D 180MOCVD 系统上外延生长了 In Ga A s N 材料 ,并通过高分辨 X 光双晶衍射仪、分光光度 x 1x 1y y ( ) 计以及电化学电容电压 ECV 测试仪等对材料性能进行了分析。获得了室温下禁带宽度为 1. 17eV 的 In Ga x 1x A s N 材料。 1y y 关键词 :MOCVD ;转换效率 ;外延中图分类号 : O484 　　文献标识码 : A 　　文章编号 : 1000985X (2005) 0509 1505 Research on InGaA sN for Quadruplejunction Solar Cells 1, 2 1