用自洽的蒙特卡罗―流体结合模型模拟溅射过程.pdfVIP

　第 12 卷　第 2 期 强 激 光 与 粒 子 束 . 12, . 2　 V o l N o 　2000 年 4 月 H IGH POW ER LA SER AND PA R T ICL E BEAM S A p r. , 2000　 文章编号: 　1001—4322 (2000) 02—0196—05 用自洽的蒙特卡罗—流体结合模型模拟溅射过程 张云驰, 　赵　夔, 　张保澄, 　谢大林, 　唐渝兴, 　杨　希 (北京大学重离子所, 北京大学技术物理系, 100871) 　　摘　要: 　采用自洽的蒙特卡罗- 流体结合模型对溅射过程进行模拟, 以了解等离子体粒子行为与 溅射参数的关系。溅射过程包括气体放电和溅射原子传输。对于气体放电, 蒙特卡罗部分模拟快电子和 快气体原子, 而流体部分则描述离子和慢电子。对于溅射原子传输, 蒙特卡罗部分模拟溅射原子的碰撞 过程, 而流体部分则描述溅射原子的扩散和漂移。模拟的结果包括: 等离子体粒子的密度和能量分布; 不 同电离机制对气体原子和溅射原子电离的贡献; 不同等离子体粒子对阴极溅射碰撞的贡献; 溅射原子的 密度分布; 溅射场和溅射粒子相对于入射离子能量和角度的分布; 溅射原子经碰撞后在整个等离子体区 的分布。 　　关键词: 　溅射; 　蒙特卡罗; 　模拟 　　中图分类号: 　 165; 484　　　　文献标识码: 　 O O A 　　近年来, 溅射沉积技术已经得到了很大的发展, 并广泛应用于薄膜处理和特殊靶材制备等方面。北 京大学重离子所射频超导组在铜铌溅射四分之一波长超导谐振腔(QW R ) 的制造工作中应用了此项技 术, 即应用溅射技术在铜QW R 表面镀上一层超导铌膜, 以充分利用铌超导性能好和铜热导性能好的优 点。目前已经建造完成了一套带有辅助装置的直流溅射系统, 并通过一些前期溅射实验积累了丰富的经 验。但为了更好的掌握和利用此项技术, 就必须对溅射过程有一个充分的理解, 研究靶和基板之间的等 离子体粒子运动中的溅射粒子的行为。由于通过实验的方法很难了解这些粒子的个体及集团行为与溅 射沉积过程所采用参数之间的关系, 因此就必须考虑溅射模拟的方法, 模拟在特定的物理条件下从靶到 基板之间的粒子行为。目前主要有三种模型。第一种模型是将溅射过程中的所有粒子按流体处理[ 1～ 4 ] , 用连续性方程和流量方程来描述它们。这种模型只能是一个近似, 尤其是对远不满足流体平衡条件的快 [ 5 ] 电子更是如此。第二种是玻尔兹曼模型 , 即通过玻尔兹曼传输方程来描述处于非平衡条件下的各种粒 [ 6 ] 子。第三种方法是通过蒙特卡罗模拟 , 即一个接一个的模拟各个粒子。通过牛顿定律来描述它们的轨 迹, 通过随机数方法来处理它们的碰撞。但必须通过模拟大量的粒子, 才能得到满意的统计结果, 因此需 要很长的计算时间。总之, 每一种模型既有优点又有缺点。因而, 通过结合不同的模型来描述溅射过程 是非常值得的。 　　本文的目的是利用模拟方法来计算溅射过程中等离子体粒子的行为, 并通过实验来验证计算结果 的准确性。使用类似的计算框架, 可以用来分析具有不同溅射装置和不同靶物质的溅射过程, 对于具有 不同基片位置或不同气压的溅射过程, 也同样适用。 1　模型描述 ( ) 　　所有模型描述的都为平行板结构, 即溅射发生在两个平板电极之间 阴极为负电势, 阳极为 0 。在 流体模型中,