a—Si：H与a—SiC：H薄膜掺杂效率的研究.pdfVIP

维普资讯 兰 州 大 学 学报 (自然科 学版 )，1995，31(1)：31~34 JOUI~,IAL OF LANZttOU UNIVERSITY (NaturalSciences) a—si：H和a—SiC：H薄膜掺杂效率的研究 ’／／乡 宋志忠 徐进 匝 陈光华 一 c 学 730000) 。 (兰州大学物理学系，兰州 『／、／， ， ( ． r』摘 要 本文通过测量掺杂a_Si：H和a~SiC：H薄膜的电导率随退火温度和退火时间变化研究 。 了温度对掺杂效率的影响以及杂质激活的微观过程．结果表明，(1)杂质激活过程是伸展指数形式， (2)在低温区掺杂效率正比于O--一，(3)在高温区掺杂效率选到一饱和值 通过一个与氢运动有关 的杂质激活模型，我们解释了上述实验结果． 荚键词 非品态半导体；薄膜；等温退火；掺杂效率 在非晶半导体中，由于缺乏长程扑拓序的限制，硼与磷原子在非晶网络中以三配位的形式 存在从而满足局部能量极小条件．困此B与P原子在非晶材料中似乎不应起掺杂作用．但1975 年，SPEAR和LECOMBER口从实验上发现了掺杂引起的a-Si：H材料的电学EE质的变化，这 就意味着非晶固体并不是完全不存在扑拓有序的限制，四配位的B和P也可以在a-Si；H网络 中存在．但实验表明_2四配位杂质原子的浓度，这就是说a-Si：H的掺杂效率很低，如当掺杂 浓度为 10 时，掺杂效率低于l％，并且掺杂效率随着杂质总浓度的增加而降低．这种低的掺 杂效率对材料的性质可以产生许多影响，因为为了达到所需的掺杂水平，就必须有较高的掺杂 浓度，这样就会引入大量的缺陷态，并且改变网络中的H分布，还可以导致材料带晾的改变． 所以弄清 a-Si：H夏其合金材料的掺杂机制，提高材料的掺杂效率在非晶半导体的研究中具 有特别重要的意义． 本文通过测量掺杂 a-Si：H，a_SiC：H的电导率随退火温度和退火时间的变化，研究了温 度对掺杂效率的影响． 】 样品制备与测试 本工作所用的样品是用射频辉光放电等离予体化学汽相沉积(CVD)法制备的．所用的反 应气体分别是SiH +CH。+H。+B s和SiH。+ +PH 混合气体的比例是：CH。t(CH。 +Silld+B2Hs)一20％．B2H ／(CH4+SR--I‘+B。H)‘一 0．5％，PH3／(Sill。+PH1)分别是 0．12％、0．4％和 1％，所用衬底是玻璃，衬底温度是 240℃．其它条件是：反应压力是 30Pa， 射频功率是 0．4w ／era ，频率是 l3．56MHz．在样品上蒸上平行铝电极，用ZC36型高阻仪测 量样品的暗直流 电导率．测量过程如下：将—大块均匀样品放入控制在某—温度的高沸点油中 退 火 ，同时记录退火时间，按不同的遢火时间，将样品取出立即放入冰水中淬火，然后取出擦 奉史 1994年 3月 17日收到． 维普资讯 32 兰 州大 学学报 (自然科 学版 ) 31卷 干，并马上测出其暗的电导率，对每个时间点用一个小样品．退火温度分别是 IO0C。130℃， 160C 和 200C．用高沸点油退火，—方面是为了准确控制温度，另—方面使测量过程快速简 便．为了研究油对测量结果的影响，我们做了在油中和在氮气保护下的炉中退火测量，没有发 现这两种方法的结果有何不同． ． 2 结果和讨论 、 我们测量了样 的暗的直流电导率随退火时间的受琵．a-SiCrfr(B)样品的结果示于图 1．用a(t)／a(O)的相对值表示电导率的变化，其初始值为 1．从图1中可以看出，对某—退火温 度，开始