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第 25 卷 第 8 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 25 No. 8
2010 年 8 月 Journal of Inorganic Materials Aug. , 2010
文章编号: 1000-324X(2010)08-0811-04 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2010.00811
铋硼玻璃掺杂对 ZnO-Bi O -TiO 系压敏电阻性能影响
2 3 2
万 帅, 吕文中
(华中科技大学 电子科学与技术系, 武汉 430074)
摘 要: 研究了铋硼玻璃掺杂对 ZnO-Bi O -TiO 系压敏电阻微观结构和非线性特性的影响. 由 SEM 结果可知: 在
2 3 2
900 ℃烧结时, 低熔点铋硼玻璃通过液相烧结机制能够促进氧化锌晶粒生长和提高晶粒分布的均匀性; 然而, 未熔
融的锌硼玻璃通过颗粒阻滞机理阻碍了氧化锌压敏陶瓷晶粒的生长. 当铋硼玻璃掺杂量为 2wt% 时, 可以得到最佳
2
非线性特性: 电位梯度E = 124.9V/mm, 非线性系数 α=46.2, 漏电流密度 J = 0.2μA/cm . 对铋硼玻璃掺杂压敏电
1mA L
阻来说, 其晶粒生长动力学指数和激活能 Q 要远小于锌硼玻璃掺杂压敏电阻, 仅为 n≈2.15 和 146.2 kJ/mol. 以上分
析表明: 与锌硼玻璃相比, 铋硼玻璃能够更有效的促进氧化锌晶粒生长, 改善ZnO-Bi O -TiO 系压敏电阻的微观结
2 3 2
构, 提高非线性特性.
关 键 词: 锌硼玻璃; 铋硼玻璃; 压敏电阻; 电性能; 晶粒生长动力学
中图分类号: TN304 文献标识码: A
Influences of Bi O -B O Glass Doping on Properties of ZnO-Bi O
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