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共振隧穿二极管的设计、研制和特性分析.pdf
第 卷 第 期 半 导 体 学 报
年 月
共振隧穿二极管的设计 研制和特性分析
张 磊 杨瑞霞 武一宾 商耀辉 高金环
河北工业大学天津
中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄
摘要用分子束外延技术在半绝缘 衬底上生长制备了不同结构的 两垒一阱 单
管 经过材料生长设计和工艺的改进测得室温下器件的最高 为 峰值电流密度达到 进行
直流参数测试得到 的 特性曲线对量子阱宽度和帽层厚度对 特性的影响进行了分析
关键词共振隧穿二极管 特性曲线峰谷电流比负微分电阻
中图分类号 文献标识码 文章编号
所有层的材料成分厚度和掺杂浓度等 一般而言
引言 是由下列材料层组成 区电极接触区 此
层的主要作用是形成欧姆接触减少器件的串联电
随着电子技术的进步电子器件的尺寸日益减 阻发射区层图 中的 层 实行重掺杂使
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