干法PSS与湿法PSS.xls

Sheet3 Sheet2 Sheet1 干法PSS与湿法PSS 干法刻蚀 工艺步骤 工艺难点 3、黄光图形 黄光制程的线宽与精度挑战 保持图形一致性的挑战 刻蚀速率与蚀刻剂温度稳定性的挑战 湿法刻蚀 2、黄光图形 3、干法刻蚀 刻蚀选择比的控制 1、蓝宝石清洗 2、SiO2沉积 4、BOE腐蚀 5、去除光刻胶 6、湿法腐蚀蓝宝石 7、去除SiO2 4、去除光刻胶 干法与湿法制作PSS不仅仅在工艺制程上有差别，二者制作的图形形貌亦有差别，具体而言，湿法腐蚀由于不同晶向腐蚀速度不一致，导致腐蚀之后的图形形貌往往是金字塔状，图形有棱不圆滑，但湿法腐蚀的速度快，设备简单，最大的缺点在于大量废酸的存在，对环境是一大挑战，LED厂家在选用这两种方法时，不得不考虑这一点，其他的缺点就如同3楼所列的了，其实湿法腐蚀多一步SiO2掩蔽图形制作（有时也用SiN或SiNO）与光刻胶去除，如果考察整个工序流程，湿法的成本优势并不很明显；干法刻蚀的缺点就是刻蚀速率慢，选择比（对光刻胶）低，设备复杂昂贵，但其工序流程较少，且图形圆滑（典型的干法刻蚀图形形貌是锥状或半球状）。 湿法腐蚀与干法刻蚀图形对后续外延材料质量的影响以及对LED效率的影响对比，我目前没有看到过这样的报道，但不知道产业界是不是有人这样做过（本人大部分时间在研究所工作，这里也希望和产业界从事PSS工作的同仁多多交流）。从公开发表的文献数据对比来看，湿法腐蚀后的PSS上外延GaN材料具有更低的缺陷密度（这个只是本人自己的一个对比总结）。其实PSS对LED的内量子效率提高更多，还是对光析出率提高更多，没有更多有利数据进行支持（这也是本人的一个看法），另外一直以来人们都认为LED的效率不高是因为GaN材料质量差导致LED内量子效率不高所导致的，在一定的缺陷密度范围内，LED的内量子效率似乎与缺陷密度关系不大（公开发表的结果），当然由于各家外延工艺的不同，结论也许不同。 目前产业界基本认同了干法刻蚀制作PSS的方法了，湿法腐蚀的方法正被逐渐淘汰 dry etcher的类型或者是等离子体源基本都是ICP源（无论国内国外的产业化设备），dry etcher的主要供应商是日韩，大陆目前只有NMC一家，其工艺参数指标与日韩相比稍稍有一点点差距，机台的稳定性似乎要差一点，似乎down机比较频繁，但价格相对低一点，目前号称占据国内50%的市场份额 5楼所说的黄光区问题与PSS所用的掩蔽材料光刻胶有关，而这一点又是从半导体工艺中来的。PSS制程所用的光刻胶所敏感的光线波长一般在400nm以上（G线），现在多在用i（365nm）线曝光，因而如果不设置黄光区，掩蔽材料会被曝光，就像以前为防止相片底片被曝光需要在暗室操作是一个道理 蚀刻剂 H2SO4：H3PO4=3:1 石英层 加热 240℃-360℃ 蓝宝石刻蚀速率 120-200nm/min