氮化镓的合成制备及前景分析.pdfVIP

第 40 卷第 11 期 辽 宁 化 工 Vol.40，No. 11 2011 年 11 月 Liaoning Chemical Industry November，2011 氮化镓的合成制备及前景分析 1 1 1 1 1 2* 童寒轩 ，胡慧明 ，郑方庆 ，郑晋洁 ，张渊泽 ，马剑华 （1. 温州大学瓯江学院，浙江 温州 325035； 2. 温州大学，浙江 温州 325035） 摘 要 ：氮化镓作为第三代半导体的代表，具有优越的电学性能。氮化镓的合成制备，对全球半 导体产业的发展具有重要意义，目前已经成为世界的研究热点。本文对氮化镓薄膜以及纳米氮化镓的 合成制备方法进行了综述，并对各种合成方法的优缺点以及氮化镓的应用前景作了简要分析。 关 键 词 ：氮化镓； 薄膜； 纳米结构； 制备 中图分类号：TQ 133.5 文献标识码 ： A 文章编号 ： 1004-0935（2011）11-1201-04 在上世纪 50 年代，随着锗、硅材料作为第一代 很多的报导。由于 GaN 的熔点很高，且饱和蒸汽压 半导体的出现，以集成电路为核心的微电子工业开 较高，在自然界中无法以单晶形式存在，而且用一 始逐渐发展起来，此类材料被广泛应用于集成电路 般的体单晶生长方法来制备薄膜也相当困难，必须 中。此后的几十年时间里，电子信息产业发展壮大。 采用外延法进行制备。MOCVD，MBE，HVPE 等是 进入 90 年代以后，第二代半导体砷化镓、磷化铟等 比较传统的 GaN 薄膜制备方法。 具有高迁移率的半导体材料逐渐出现，使得有线通 1.1 MOCVD 法[5-6] 讯技术迅速发展。随后在本世纪初，碳化硅，氮化 MOCVD（金属有机物气相沉积法）是在气相外 镓等具有宽禁带的第三代半导体材料也相继问世， 延生长的基础上发展起来的一种新型气相外延生长 将当代的信息技术推向了更高的台阶[1-2] 。 技术。在采用 MOCVD 法制备 GaN 单晶的传统工艺 第三代半导体材料的禁带宽度很大，可以达到 中，通常以三甲基镓作为镓源，氨气作为氮源，以 2.3 eV 以上，如氮化镓的禁带宽度高达 3.39 eV，氮 蓝宝石(Al O )作为衬底，并用氢气和氮气这种两种 2 3 化铝甚至超过了 6 eV。此类半导体材料普遍具有较 气体的混合气体作为载气，将反应物载入反应腔内， 大的电子漂移速度、高热导率、耐高电压、耐高温、 加热到一定温度下使其发生反应，能够在衬底上生 抗腐