基于STM的有机电双稳材料电学性质的表征和改性.pdfVIP

第 卷增刊 半 导 体 学 报 ! !’ #$% ()**%+,+-. 年 月 !//0 1 ’!//0 23456(6789:5;8=(64285?92@8:( AB CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC 基于JKL 的有机电双稳材料电学性质 的表征与改性 严学俭 李 旭 张 群 王伟军 吉小松 邱伟民 华中一 复旦大学材料科学系 上海 M ’ !//00N 摘要 利用 对金属有机络合物电双稳材料 的薄膜进行电学性质的表征与改性 在针尖强电场的作 O D ’ (@ ;P@25Q 用下 当电压达到某一阈值后薄膜从高阻态跃迁至低阻态 这两种高低阻态可分别定义为一个存储单元的 与 ’ ’ R/S 状态 在 的常规工作模式下 测量了薄膜的电学性质的变化 考虑到在 的常规恒流工作模式下 针尖 RFS (@ ’ T (@ ’ 与样品之间的隧道结是影响电学性质的表征与改性的一个不可避免的重要因素 而它并不是材料本身的属性 为 ’ ’ 此利用 进行了针尖与样品 接触式 的测试与分析 并且与常规工作模式进行了比较 (@ R S ’ 关键词 有机材料 电双稳态 表征和表面改性 O(@ T T T UVWWO01//TX0//TYF/ 中图分类号O 0’ G/1 文献标识码O 文章编号O/!10DFXXM!//0N /D/FFD/1 @Z @5 ; ( 量级 因此可将针尖精确定位于选定的有机双稳态 ’ 引言 材料表面 在针尖与样品间的局域表面外加一个强 [ ’ 场 电场就会使原来为高阻态的该部分薄膜材料变 ’ 自从上个世纪 年代以来 多个不同的技术领 为低阻态 从而获得纳米尺度的存储点 有机导线或 Y/ ’ ’ \ 域 如微电子技术 薄膜技术 光电子