AlN缓冲层对提高硅基GaN薄膜质量的作用机理及其研究进展.pdfVIP

真 　空 　科 　学 　与 　技 　术 　学 　报 第 26 卷 　第 4 期 　　　　　　　　　　　　 　　　　　　 308 ( ) JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY CHINA 2006 年 7 、8 月 综述评论 　 AlN 缓冲层对提高硅基 GaN 薄膜质量的 作用机理及其研究进展 王敬蕊 　叶志镇 　赵炳辉 　朱丽萍 　唐海平 (浙江大学硅材料重点实验室 　杭州 　310027) Influence of Al N Buffer Layer on Ga N Film Growth on Si( 111) Substrates Wang Jingrui ,Ye Zhizhen ,Zhao Binghui ,Zhu Liping and Tang Haiping ( ) State Key Lab of Silicon Materials , Zhejiang University , Hangzhou , 310027 , China 　　Abstract 　Mechanisms responsible for GaN film growth on Si ( 111) substrate covered with AlN buffer layers were tentatively reviewed , and the optimized GaN film growth conditions were discussed. 　　Keywords 　GaN ,AlN ,Summarize ,Stress ,Dislocation 摘要 　AlN 作为中间层可以有效提高硅基 GaN 的晶体质量。本文对于AlN 作为形核层和插入层提高 GaN 晶体质量的机 　　 理进行分析和总结 ,并给出 AlN 的最佳生长条件。 关键词 　Si 基 GaN 　AlN 　综述 　应力 　位错 ( ) 中图分类号:O484. 1 　　　文献标识码 :A 　　　文章编号 2006 ( μ ) 　　GaN 作为一种重要的宽带隙半导体材料在光电 的 GaN 超过一定的厚度时 约 1 m ,就会因过大的 器件领域有广泛的应用前景。目前商用 GaN 外延 张应力而产生裂纹 ,这将严重影响将来的器件性能。 片的衬底材料主要是蓝宝石和 SiC 。Si 作为衬底与 为了提高外延膜的质量 ,人们采用插入各种缓冲