Ｂａ〈，０．５〉Ｓｒ〈，０．５〉ＴｉＯ〈，３〉薄膜的外延生长及电学特性.pdfVIP

第十届奎国电子束离子束光子束学术年会 Bao．5Sro．5Ti03薄膜的外延生长 及其电学特性 康晋峰1，朱晖文1。韩汝琦1。连贵君2．熊光成2 (1北京大学微电子所，北京100871；2北京大学物理系，北京100871) BST薄膜，并分析不同微蛄构下BST薄膜的电学特性。研究结果表明，当衬底温度高于 温以(001)取向外廷生长，在中问温区存在一两取向共存的生长温区；淀积后的高温退火过程 不会影响BST薄膜中晶粒取向，但可能套影响晶粒阐界和晶粒的大小；BST介质薄膜电客随 电压变化很小；电容随额率的变化和漏电漉随制备条件的不同。有很大的差剐，这些差别可能 与BST薄膜的晶粒取向、晶粒闻界和晶粒大小等微结构目素有关。 关建词：脉冲激光淀积法(PLD)；BST薄膜；外延生长；电学特性 1 引言 随着半导体电路的集成度的不断提高和器件尺寸的不断缩小，利用高介电常数(高K)介 其高的介电常数(￡r～300)、低的漏电流密度、大的击穿场强等特点，是主要的研究对象之一， 并已被选作新一代1GbDRAM的介质屡材料进行重点研究u01。从器件应用的角度来说，介 质薄膜材料具有好的介电常数和漏电流特性是必不可少的。研究各种因素对介质材料薄膜电 学特性的影是一个重要的研究课题。介质薄膜的电学特性通常与其徽结构有关，研究BST介 质薄膜微结构与介电常数和漏电流等电学特性的相互关系有助于深入了解BST薄膜材料性 质和优化制备工艺。而薄膜的外延生长，是研究其微结构特性的一个重要基础。本文将研究 特征的影响，并以此为基础，研究BST薄膜的外延生长条件，分析不同微结构下BST薄膜的 电学特性。 2实验 湖南·长沙 底上外延生长了导电的Ba0 5Sro 淀积生长BST薄膜，研究淀积温度和后处理工艺对BsT介质薄膜生长特征的影响。实验中 电流特性。选择外延的LSCO作为底电极，是考虑到其良好的导电性能并不受高温氧环境影 响的特性，以及其与BST具有类似的钙钍矿晶体结构等因素。样品的底电极LSCO薄膜和 BST介质薄膜均利用PLD方法制备。顶电极Al厂n复合金属层利用离子束溅射方法在室温 下淀积生成，淀积时使用了不锈钢金属掩模，在BST介质薄膜上形成了直径为Imm的圆形上 通过HP4156B半导体参数分析仪测量。 3结果与讨论 (a)的结果显示，在300℃村底条件下淀积的BST样品中，没有明显的BST特征衍射谱出现， 这说明BST薄膜是无序生长的多晶或非晶薄膜。将淀积的衬底温度升高到45012，样品的 9’两个(100)取向的特征衍射峰消失。把衬底温度提高刊850℃时，可观察刊同样的结果。这 取向生长的BST薄膜均为外延生长。综合以上结果，我们可以发现，在300℃以下的低温下 区；但淀积后的高温退火过程不会改变BSf薄膜的晶粒取向。 第十届奎国电子束离子束光子束学术年会 相同，约为300nm。图中结果显示，在不同衬底温度下淀积生长的BST薄膜电窖随电压的变 化都较小，这说明BST的徽结构对电容的c—V特性影响不大。改变频率，在IMHz下测量 样品的C～v特性发现，电容随电压的变化均不大，但样品的电容变化均有不同程度的减小， 这说明BST的介电常数随频率的变化很大。 0三鬈￡兽；旨u 20 3Ⅱ40j0 ∞ Vt-Itage(V) 20(deg) 路2 电容样品A、B、C、D、和E在100k}k条件下 凰l在不同条件下的制备Bsr／lSc0几Ao样品的 X光衍射谱(SRD)的0—20扫描结果 测得的C—V特性曲线 为此．我们测量了样品的电容随频率的变化关系，测量结果如图3所示。图中显示，BST 频率(C—f)的变化要大很多，这说明在高的衬底温度下淀积的BST薄膜的介电常数对频率有 较强的依赖特性；在低温下(如450C)淀积，然后在高温条件下退火(样品C)，使得电容