M-IDG结构超宽带衰减器的全波仿真与实现.pdfVIP

岛㈠7)=陋z(i／，k+1)一Ez(j，，，々)】，止 如(f√)=陋z(t，_)一Ez(f√，≈一I)】， (5) 由此可以导出Hv的差分迭代公式，同理可以得到其它几个场量的差：分公式。上面 导出的公式，对于介质薄层【薄膜电阻)的计算同样适用。 三．衰减器的设计及实验 1．衰减器的设汁 本文是在插入介质上镀薄膜电阻来宾现衰减。但当频率升高时．薄膜电阻的尺寸 与工作波长可比而成为一段有耗传输线，非直流意义上的电阻，因而相同阻值、不同 尺寸的电阻，在一定频带内的衰减又是不同的。而本文所建模型是从三维直接模拟薄 膜的尺寸，故能精确仿真其频带特性。具体在F[ffD仿真中，主要是通过调整电路中各 薄膜电阻的厚度和长度，来实现宽带特性。但实现宽带的衰减通常都较困难。因为单 一的薄膜电阻带宽很窄：且频率升高时，衰减量对薄膜电阻的参数改变(如厚度等) 很敏感：另外电路尺寸很小。这里通过采用多电阻的‘r’形电路，来解决上述问题。 2．仿真和实验 衰减器的FD丁D仿真是在薄带模型的基础上进行的。其基片尺寸分别为： ，、争 ! 营：2P飞一、 实验。j 墨．，I：：：坐出：也垡竺粤世竺囊。一i 嚣一d……： ， -|实验 j ；j．愁萎勃 ．10 ～_：_群毋j 频率(M№) 顿翠(MHZ) (a) (b) 图4衰减器特性 (a)衰减特性Co)输入驻波比 图4绘出了衰减器的衰减特性和输入驻波比曲线。可以看出，在0．5GHz--18GHz 的带宽内，lOdB衰减器的仿真和实验值起伏都小于ldB：实验结果满足原仿真设计要 求。对于输入端驻波比，实验值比仿真值要略大一些，但二者变化的趋势是一致的。 四、结论 本文针对建立的时域模型，实现了M_IDG结构小型、超宽带部件——衰减器的仿 真设计。验证了M-I【)G结构具有良好的宽带特性，在微波和毫米波技术当中具有良好 的应用前景。 参考文献： oftheinset l Tullio andnetworkmodeling Rozzi．StenphenJ．Hedges．’Rigorousanalysis dielectric 9，l987 guide’．IEEl；．Tr{fllS洲MTT，Vol35，pp823—834，No G Smith，’Theefficleatmodelingoft}1inmaterialsheetinthe 2．JamesMaloney＆Glen¨s fiilire=differencetiale 3，pp323—330， Mar1992． 3。 3．高本庆， 《时域有限差分法》、国防工业出版社，1995 一94— ’T／ ．．， GTD应用中任意凸曲面表面爬行波 射线寻迹 李伟明，。吕晓德，高本庆，刘瑞祥 (北京理工大学电子工程系．北京10081) 摘要：射线寻迹是几何绕射理论(GTD)解决高频电滋散射和辐射问题的关键步骤。 本文通过引入动态规划的数学优化方法，得到了任意凸曲蕊表面绕射射线的一般寻迹规 划模型。并对无限长圆柱面上爬行射线进行了寻迹计算，结果表明模型方法是正确的。 该方法还可以应用到任意凸曲面和非均匀媒质中的爬行射线寻迹。 1 引言 几何绕射理论tGTD)是分析飞行器