光寻址电位传感器特性的仿真分析.pdfVIP

STC’99 光寻址电位传感器特性的仿真分析4 Parak2 张钦涛‘，王平”，Wolfgang ● l’浙江大学生命科学及医学工程系，生物传感器国家专业实验室 浙江杭州，310027，电子信箱：￡强疆a鹳@maii．k．习．衄 2Lchrsmh／fnr M0nchen Angewan2ttePhysik，LMU t 摘要： AddressablePotcntiomettic 光寻址电位传感嚣(Light ScnsoLLAPS)，是一种新型硅抟碡器． 具有EIS(电解质，绝缘层腱)和MIS(金属，绝缘屡／硅)两种基本结构，在生物领域有着广泛韵 庄用，一出现裁成为了研究热点．本文用仿真的方法分析丁LAPS两种基本结构的原理．酋攻提 出MIS结构LAPS的电路模型并采用能带理论得到了数学模型，所有的结果都正确地反映了LAPS 的实际特性。避后利硝这种方法还分析了影响LAPS炙敏度的崮素；硅掺杂浓度。绝缘层厚度以 及光强等，并提出了LAPS的滢计方案。 关键词；LAPS．EIS，MIS，生物化学传感器 LAPS原理 LAPS的基本原理是硅的内光电效应。图一是LAPS原理的示意图，当光从正 面后背面照射LAPS时，在硅层中产生电子空穴对，这就足硅的内光电效应。当在 LAPS加偏压时，在硅层中形成耗尽层(N型硅加负压，P型硅加芷压)．靠近耗尽 层的电子空穴对来不及复合，就被分离到耗尽层的两端，如果采用强度调制的光源 就会产生电子空穴对的交替变化。这是就可以在有耗尽层敏感层以及外电路组成的 交流通路中测量得到光电流，这个光电流就反映了敏感膜的响应。 ● t摹蕞 堪聋慧 耗墨屡 *基畦 图一，LAPS原理盈 ·联系人 #本文得到国家自然科学基金资助(批准 303 STC’99 从上面可以看出，光电流的产生的原理中耗尽层是关键。耗尽层与偏压的关系 可以用能带理论来解释，特列是MIS结构作为一种屯容已经有裰多的研究【l】。从 圈一可以看出，只要能影响耗尽屡以及光强的变他都可以测量，比如膜响应产生的 电压，或表面物质对光的散射。另外，免疫反映产生的敏感膜厚度变化可以引起测 孽 量光电流褶位的变化，也可以用LAPS来测量。E1S结构与MIS结构的不同仅在于 敏感膜晌应的不同，硅层的变化都可以用能带理论解释。 EIS结构LAPS仿真 目前LAPS的理论研究差要集中在EIS结构上，分析采用了许多不同的方法。 主要可以分成两大类，L Verzellesi采用的是一种数学方法～“葙 C