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三维单片微波集成电路设计中的阻抗匹配
与耦合干扰问题研究‘
ontheProblemsof
Study
and in
Matching
Coupling
Monolithic
Three．Dimensional
MicrowaveCircuit
IntegratedDesign
王强 李英
(E海大学通信一j．程系j一海嘉定201800)
i。i Ying
WangOiang
(Colmnullication of
EngineeringDepartlIIClqtShanghai
201800)
UniversityjiadingShanghai
[摘婴1 奉义从特1牛既i抗的角度(,)-t7i』’二雉单片微波集成￡也路设计L}』的阻抗匹配和耦台I：扰问
题、给出J’准静怠F的分析方法和什算示饲。
关键词』城，单H徽波集成也路线挂耦台十‘扰
Abstract：the and disturbancein
problemsofimpedmlce fllree—dimensional
lnacbhlgcoupling
monolithiclllilCOkVjlVe circuit arestudiedfromtile ofview,ofcharacteristic
integrateddesigll poiut
methodandacalculation
impedance．Aquasi·staticanalysis exampleaf。presented
terms
Tlue争Denlension缸(3D)，MonoliflficMicrowave of
Key IntegratedCircuit(MMIC)，Method
Disturb：mce
Lines(MoL)，Coupling
一、引 占
3DMMICIbj’采H|分坛结钩，各培{々输线fnj的梢台刘『U蹄来醴既是优点又是缺点。
优点足可以利川传输线宽边的强耦合来I匈成各烈，性能优越的也蹄元件，并可提高集成
度：缺点是会造成层问}：扰，改变传输线的特性阻抗、使各电路单元之间失配，影响
整个IC的。降能。
二．、食瓴
以一个．ru麒层结构为例．叮能存在两个问题1I、l、毖微带线之问的匹配问题：
2
*山家n然科’了：蚺金资助项日
一635—
种传输线结构碍解。簧使，i 口胺做带线阻抗匹配，必有
Z(11’1、，1，^、占，)=zuB(w2，，2，h，占，)
B
孽幕歌以寺一带茅携 』
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