微差压传感器膜片成型技术研究.pdfVIP

STC’99 微差压传感器膜片成型技术的研究 李颖李妍君吴丁民童学群 沈阳仪器仪表工艺研究所辽奇咯沈阳市 110043 盎 【摘要】：微差压传感器采用EI塑膜片结构，其膜片成型技术包括两方面构内容，正面l u 型粱的形成和背面E型杯的加工。最终形成的EI型膜片其厚度仅为20H，本文通过对这 一技术的叙述，介绍了微差压传感器膜片成型中的关键工艺和结果。实践证明。方法简便易 毒 行，1：艺重复性、一致性好，在生产中收到实效． 一．前言 微差压传感器长期以来一直是国内传感器领域的薄弱环节．主要是EI型硅膜片的制作 很难控制。EI型膜片是微差压传感器的核心部分，传感器的主要指标灵敏度、过载及精度 都受控于它，因此膜片的成功与否是微差压传感器成败的关键所在。“九五”期问，我们在 原有的基础上，进一步完善工艺技术与工艺装备，严格工艺流程和工艺规范，’进行了大量难 苦细致的工作．使这一工艺趋于稳定与成熟，合格率较高，在实际应用中收到实效。 =．EI型膜片结构 EI型膜片结构是由E型改进而来的，芯片的背面就是E型杯．芯片的正面是通过腐蚀 的方法形成两个很窄的粱(I型梁)，应变电阻就扩散在I型粱上，梁的厚度与E型膜片同 厚。其结构示意圈如图～所示 压敏电阻 B A 膜片 粱 ● (AOB截面) 图一．EI型膜片结构示意图 I 由r膜片的刚度小，儿乎任何压力都会引起I型粱的偏转从而产生较大的应力．所以。 这种结构的元件能精确地感测微压。 这种膜片结拇采用微机械加工和机械加工耜结台的方法得以实现，硅片正面采用选择性 腐蚀的方法形成粱式结构。而硅片背面的E型杯结构，是通过机械掏杯及腐蚀减薄的方法 形成的。 三．￡f型膜片l型粱的形成技术 ● 在微著压传感器膜片成型技术中，I型粱的形成至关重要。它是决定此元件成功与否的 关键所在。最终要在硅片正面腐蚀出两个很窄的梁及两个极薄的环形区域。腐蚀深度仅为】0 uM。它要求腐蚀厚度均匀、表面平整光亮、腐蚀边缘整齐、陡度好、不畸变，且要求对梁 形成良好的保护，不能在腐蚀过程中对粱造成任何缺陷，使之不影响器件性能，因此，难度 ● 是相当大的。 行腐蚀的方法。正性胶豹优点是：分辨率高、边缘整齐、边缘陡度好、抗酸性腐蚀能力强， 但实际应用中发现光窥岐和树底之间的粘附力不够好，在较长时间的酸性赓蚀液浸蚀F，出 现了局部浮胶和钻蚀现象，因此，为了傈证二氧化硅薄膜与光刻胶之间有良好的接触和粘附， 在不影响光刻胶的暴光和显影的前提下．我们采取了用表面处理剂处理后再m胶的方法，收 到了明显的效果。由于采用了正性胶，随之带来了对光刻机的新要求。光刻正性胶，光源强 度必须足够，而原来使用的国产“劳动”牌光刻机无法满足此要求。若使用它，只能延长暴 ；乜时间(约3分钟)．且暴光时闻只能