用于Ｘ射线光刻掩模的ＳｉＮ〈，Ｘ〉薄膜.pdfVIP

湖南·长沙 用于X射线光刻掩模的SiNx薄膜 陈大鹏，叶甜春，赵玲俐，韩敬东，李兵．谢长青。胥兴才．孙宝银，胥俊红 (中国科学院电子中o，北京100010) 摘要：x射线光刻目前被认为是替代光学光刻进入深亚微米制造领域的最有希望的几种技术 之一，x射线光刻技术进入I业化生产的关键是需要解决光剥掩模制造_T-艺。本丈报道了在 力。高透先率特性，成品率和重复性增多有大幅度提高。可用于x射线将模制造。 关键词：x射线光刻；SiN。薄膜；掩模；深亚微米光刻 1 前言 x射线光刻无论是在研制超大规模集成电路，还是在当前方兴未艾的微机械、微结构制造 技术中，都是强有力的深亚微米加工工具之一。作为一种接近式复制技术，x射线光刻能大规 模应用的关键是掩模制造技术。X射线光刻掩模是由一片支撑薄膜和附着在薄膜上的X射 线吸收体的图形组成、可用于制造掩模吏撑薄膜的材料主要有氮化硼、多晶硅、有机膜、氮化 硅、碳化硅、类金刚石膜等。在选用何种材料作为掩模的支撑体材料时，需要综合考虑材料的 抗辐射性、强度、对可见光的透过率及成膜应力等…。一般说来，多晶硅膜对可见光的透过率 较低”，3J，影响掩模与衬底之间的对准精度；有机膜主要是聚酰胺、聚酰亚胺、聚喹啉一类。强 度较差，机械稳定性不好，不耐辐射，在多次曝光过程中会使掩模的图形尺寸发生较大的畸变， 通常只是把有机膜作为一种临时替代物，而SiN。和SiC的各项指标均较为理想，其中SiN，膜 的透光性能和表面平整度优于SiC，而耐辐射性和机械强度逊于SiC。常规x射线光刻胶的灵 SiN。膜在制备过程中会产生非常大的张应力，且张应力随膜厚的增加增长很快，以至龟裂，成 膜率很低，极难得到完整薄膜。因此，如何控制、降低SiN。薄膜中的应力获得大面积的完好元 损的薄膜材料，就成了SiN。薄膜制备中的主要问题。曾经有过文献H’8川报道说通过大剂量 的离子注人补偿法，或多层复台结构补偿可p』降低SiN，膜中的应力，但增加了制备工艺的复 杂性和制膜成本，限制了SiN，薄膜的应用。本文报道了采用LPC、JT)方法在高温下制备富硅 SiN，薄膜的工艺过程，这种裔硅型SiN。薄膜大大降低了膜的张应力，成膜面积可达40× 掩模支撑材料。 390 第十届全国电子束离子柬光子束学术年会 2试验方法 SiN。薄膜制备在石英管式炉内沉积得到，采用双面抛光的P型100硅片，表面平整度 8urn，晶向偏离度1 积过程。 3结果和讨论 3．1 SiN，膜的生长条件与应力控制 在采用LPCVD方法生长SiN，膜时，一个非常关键的问题是薄膜在生长过程中所产生的 内应力，在制做x射线光刻掩模时，需要将支撑SiN。膜的硅衬底背腐蚀去除以留下SiN，膜， 并在薄膜上淀积加工出所需的Au吸收体图形，在这一过程中，需要SiN。膜保持一定的张应 力，但又不能过大，张应力过大会导致膜的破裂，而压应力会使薄膜皱缩．引起吸收体图彤畸 变，合适的张应力范围应在101108Pa之问151…。 我们在实验中发现反应气体的流量比和温度不同对SiN；膜的张应力及生长速率都有影 响。在一定的温度区问和气体流量比例之内，随淀积温度和SiH：C12流量比的增加膜的生长 速率加快，张应力也逐渐降低，超出此温度区间或siH2a2流量比例过大，张应力都可能转成 压应力，具有压应力的SiN。背腐蚀成膜后，膜呈皱曲状态。图1是在不同的反应温度和气体 流量比下，SiN，膜的生长速率及应力值，淀积时压力保持在15—18Pa之间。 d Pa 一案 890 900 960 温度℃ 图1 不同的反应温度和气体流量l￡x,／SiN。膜的生长速度和应力的影响 391 湖南·长沙