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电工学课件9.txt﹃根网线尽赚了多少人的青春い有时候感动的就是身边微不足道的小事。﹎破碎不是最残酷的 最残酷的是踩着这些碎片却假装不疼痛 固执的寻找﹎将来就算我遇见再怎么完美的人,都有一个缺点,他不是你,_____下辈子要做男生，娶一个像我这样的女生。 本文由第十三亿人贡献 ppt文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 半导体三极管和放大电路 本章基本要求 深入理解三极管的电流放大作用，输入输出特性曲线。 1. 深入理解三极管的电流放大作用，输入输出特性曲线。 掌握直流通路、交流通路的画法，熟悉直流分量、 2. 掌握直流通路、交流通路的画法，熟悉直流分量、交 表示方法。 流分量的 表示方法。 深入理解静态工作点的含义，及其与失真的关系。 3. 深入理解静态工作点的含义，及其与失真的关系。 掌握微变等效电路的画法。 4. 掌握微变等效电路的画法。 掌握分压式偏置电路、共射极电路、 5. 掌握分压式偏置电路、共射极电路、射极输出器的电 路分析及特点。 路分析及特点。 初步掌握多级放大电路的分析方法。 6. 初步掌握多级放大电路的分析方法。 了解放大电路中反馈的概念。 7. 了解放大电路中反馈的概念。 常见三极管实物图 半导体三极管又称晶体三极管， 半导体三极管又称晶体三极管，简称三极管或晶体管 三极管的基本结构 N P N 集电区 基区 发射区 P N P N P N 集电结 发射结 P N P 三极管内部有三层半导体,根据排列方式不同 分为 三极管内部有三层半导体 根据排列方式不同,分为 根据排列方式不同 分为NPN型 型 中间一层称为基区 两边分别为发射区 和PNP型;中间一层称为基区 两边分别为发射区和集电区。 型 中间一层称为基区,两边分别为发射区和集电区。 三层半导体形成两个PN结。发射极与基极之间的PN结称 三层半导体形成两个 结 发射极与基极之间的 结称 发射结，集电极与基极之间的PN结称集电结。 结称集电结 发射结，集电极与基极之间的 结称集电结。 从三个区引出的电极分别称为发射极 发射极(E),基极 基极(B),集电极 集电极(C) 从三个区引出的电极分别称为发射极 基极 集电极 C N P N E 集电极 集电结 发射结 C P N P E 集电极 集电结 发射结 B 基极 B 基极 发射极 发射极 C NPN型 型 三极管的符号表示 C PNP型 型 B N P N E C B IB E IE IC B P N P E C B IB E IE IC 箭头方向为发射结正向偏置时电流方向 国产三极管的命名规则 3DG100C 3: 三极管 D: NPN型硅材料 型硅材料 G: 高频小功率 100:序号 序号 C: 规格号 3AD50A 3: 三极管 A: PNP型锗材料 型锗材料 D: 低频大功率 50:序号 序号 A: 规格号 电流分配和放大原理 1）把晶体管接成两个电路： ）把晶体管接成两个电路： 基极电路和集电极电路, 发射极是公共端， 基极电路和集电极电路 发射极是公共端，称 为：晶体管的共发射极接法 2）对NPN型硅管 发射结施加正向电压 ） 型硅管,发射结施加正向电压 型硅管 (正向偏置 集电结施加反向电压 反向偏置 正向偏置),集电结施加反向电压 反向偏置) 正向偏置 集电结施加反向电压(反向偏置 IC mA IB C E RB + EB _ mA IE + EC _ μA B IB(mA) 0 IC(mA) 0.05 IE(mA) 0.05 0.01 0.44 0.45 0.02 1.10 1.2 0.03 1.77 1.8 0.04 2.45 2.49 0.05 3.20 3.25 实验结论 晶体管有电流放大作用 IC = βIB 1) 观察每列：IE=IB+IC，符合KCL，且 IE ≈ IC 观察每列： 符合 ， 2) IC ,IE比IB大得多，第3列： IC/ IB=3.2/0.05=64 大得多， 列 3) 基极电流得少量变化，引起集电极电流的较大变化， 基极电流得少量变化，引起集电极电流的较大变化， IC/ IB=(3.2-2.45)/(0.02-0.01)=75 的比值称静态电流放大系数： 将IC 与IB的比值称静态电流放大系数：β= IC/