4.场效应管放大电路2.pptVIP

* * 7. 场效应管的主要电参数 直流参数： (1) 开启电压VT：是vDS 等于测试条件规定的某一值，使iD 开始等于规定的微小测试电流时的vGS 值。 VT是增强型MOSFET的参数。 (2) 夹断电压VP：是vDS等于测试条件的规定值，使iD 减小到微小测试电流时的vGS 值。 VP是耗尽型场效应管的参数。 (3) 饱和漏极电流IDSS：也称为零偏漏极电流，是耗尽型场效应管的参数，是vDS一定（大于VP），vGS=0时的漏极电流。 (4) 直流输入电阻RGS(DC)：结型的RGS(DC)一般大于107Ω，绝缘栅型管一般大于109Ω 。 7. 场效应管的主要电参数 交流参数： (1) 低频跨导gm：定义为vDS一定时，iD的变化量与引起其变化的vGS变化量之比，即 (2) 极间电容：包括源栅电容CGS、源漏电容CDS及栅漏电容CGD。 gm = d iD d vGS vDS一定 gm的单位为西门子。 极限参数： (1) 最大漏极电流IDM：管子工作时允许的最大漏极电流。 (2) 最大耗散功率PDM： 漏极最大允许耗散功率。 (3) 击穿电压：有栅源击穿电压V(BR)GS和漏源击穿电压V(BR)GD 。 8. 场效应管的符号和伏安特性 （因 iG =0，无输入特性） （+） （–） 耗尽型 结型N沟道 （–） （+） 耗尽型 （+） （–） 耗尽型 （+） （–） （+） 电压极性 VT或VP VDS （–） （–） （+） 输出特性 耗尽型 结型P沟道 增强型 绝缘栅P沟道 增强型 绝缘栅N沟道 转移特性 符 号 方式 结构 8. 场效应管的符号和伏安特性 由于场效应管的 iG≈ 0，所以没有输入特性。它的伏安特性有： (1) 输出特性 iD = ?(vDS)| vGS 一定 场效应管的输出特性曲线有三个工作区： (a) 可变电阻区 输出特性曲线中vDS较小，且iD几乎随vDS增大而线性增加的那一部分为可变电阻区，这时场效应管的沟道尚未出现预夹断，它的漏源间可以看作是一个受vGS 控制的压控电阻。 (b) 恒流区 也称为饱和区和放大区。这一区间的输出特性曲线几乎呈水平状态， iD只受vGS 控制，与vDS几乎无关。场效应管用来组成放大器时，工作于这一区域。也可以利用这一区域曲线的特点，由场效应管组成压控恒流源。 曲线拐弯点连起来的曲线称为预夹断轨迹。 0 10 20 2 4 iD/mA vDS/V uGS= 0 – 0.5V – 1.0V – 1.5V – 2.0V vDS= vGS– VP 耗尽型N沟道FET的预夹断轨迹 预夹断轨迹的函数表达式： 0 10 20 2 4 iD/mA vDS/V uGS= 6V 5V 4V 3V vDS= vGS– VT 增强型N沟道FET的预夹断轨迹 预夹断轨迹的函数表达式： (c) 夹断区 也称截止区。N沟道耗尽型场效应管的vGS≤ VP， N沟道增强型场效应管的 vGS≤ VT时，沟道全夹断，iD= 0，是输出特性曲线靠近横轴的区域。 (2) 转移特性 iD = ?(vGS)| vDS 一定 它可以由管子的输出特性曲线经作图得到。 9. 场效应管的微变等效电路 ° + – vgs G S D gmvgs rds ? ? ? ° ° ° ° 低频小信号模型 ° ° ° + – vgs G S D gmvgs rds ? ? ? ? ? Cds ? ? Cgs ? ? Cgd ° ° 高频模型 gm是场效应管的跨导，rds 是场效应管的交流输出电阻。 10. 场效应管与晶体管的比较 电压控制 电流控制 控制方式 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 PNP型 NPN型 PNP型 NPN型 分类 N增强： VDS 0， VGS≥VT P增强： VDS 0， VGS≤VT N耗尽： VDS 0， VGS≥ VP P耗尽： VDS 0， VGS≤ VP N沟道： VDS 0 0 ≥ VGS ≥ VP P沟道： VDS 0 0 ≤ VGS ≤ VP 发射结正向偏置、集电结反向偏置 NPN型： VC VB VE PNP型： VC VB VE 偏置原则 （线性应用） 利用多子导电 用多子和少子导电 导电机理 绝缘栅型 结型