重掺杂多晶硅栅功率VDMOSFET辐射效应的的研究.pdfVIP

十届全 辐 子 磁脉 文 第 国抗 射电 学与电 冲学术年会论 集 重掺杂多晶硅栅功率 辐射效应研 究 段 雪 童四华 刘英冲 田 秀伟 邓建国 孙艳玲 冯 彬 中国电子科技集团公司第十三研究所 河北 石 家庄 要 开展 了不 同工 重 多晶硅 强型功 辐照效应 摘 艺制作的 掺杂 栅 沟增 率 电离 实 验研 究, 从 型重掺杂多晶硅制作工 艺引起晶粒间复杂结构变化的角度分析解释 了辐照实验 中出现 问 压正 和 应 , 出了 用改 硅 结 抑 负 两 不 趋 的辐 利 变重 多晶 晶粒 构 功率 的 值 电 漂 漂 种 同 势 射效 提 掺杂 制 问 压 这 电 值 电 漂移 种 辐 应 的加固思路 离 射效 关 词 重 杂 晶硅 辐 问 压 锐 掺 多 电离 射 值 电 功率 广泛应用于开关 电源、 汽车 电子、 电机调速、 不 间断 电源 、 逆变器等领域 , 为 了减小 入 电 , 器件开关速度 , 降低开关损耗, 遍 用 以重掺杂多晶硅作 电极的硅 输 容 提高 普 采 栅 栅 工 。 一 况 , 硅 硅 , 对准 艺 般情 下 重掺杂多晶 被简化为单晶 电极或金属 电极考虑 其对功率 自 能的影响常常忽略不计 。 而实际上 , 多晶硅与单晶硅 上 区 。 晶硅是 由不同的单 性 在结构 有较大 别 多 , 晶 晶 不 同, 形 也不 , 同一 晶 内部原子 呈周期 和 性, 晶 晶晶 组成 各 晶 规则 粒 列 型 有 粒 单 粒 向 状 排 序 粒间结构复杂 , 存在缺陷, 在禁带 中引入深 能级, 成为 流子陷阱, 晶 间能带拖尾状态更加复 载 使 粒 。 晶 由晶 导 和 晶 两 合 果 , 与温 和 浓 杂化 多 的导 电性能 粒 电 粒间导 电 部分综 效 决定 度 掺杂 度有较大关 。 理 , 子