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第 25卷 第 3期 应 用 化 学 Vol. 25 No. 3 2008年 3月 　　　　　　　CH IN ESE JOURNAL OF A PPL IED CH EM ISTRY　　　　　　　 M ar. 2008 PBTCA 对硫酸钡结晶动力学的影响 尹晓爽 　杨文忠 　唐永明　刘 　瑛 (南京工业大学水处理技术研究所 　南京 2 10009) 摘 　要 　通过电导率法研究了 PB TCA 对硫酸钡结晶过程动力学的影响 。运用经典的晶体生长理论推算出硫 酸钡结晶时的表面 自由能为 6 11 mJ /m2 。加入 PB TCA 后 ,硫酸钡结晶时表面 自由能随着 PB TCA 浓度的增加 ( 2 ) 而增加 12 m g/L PB TCA 存在时 ,硫酸钡结晶时表面 自由能增加到 737 mJ /m 。4种硫酸钡过饱和溶液的诱 导时间随着 PB TCA 浓度的增加而延长 ,无 PB TCA 存在时 ,诱导时间为 6 16、399、65、31 s,加入 12 m g/L PB TCA 后分别增加到 18 0004、7 2042、8008、603 s。硫酸钡晶体生长的速率可以用一级反应方程来表示 , 生长速率随 PB TCA 浓度的增加而下降 ,尤其在过饱和度较低的溶液中 ,加入 PB TCA 后硫酸钡晶体的生长速 率下降了 2个数量级 。PB TCA 对于硫酸钡晶体生长的抑制主要是由于其对活性生长点等特殊位置的吸附作 用 ,而这种吸附作用符合 L angm u ir等温吸附特征 。 关键词 　硫酸钡 , 电导率 ,动力学 , PB TCA ,阻垢 中图分类号 : O647　　　　　文献标识码 : A 　　　　　文章编号 :(2008) 硫酸钡是石油工业生产设备中经常遇到的一种难以清除的垢 ,给工业生产带来极大不便 。多年来 , 人们已研究和开发一系列阻垢分散剂抑制和延缓硫酸钡垢的生成 ,其中以有机膦酸和聚合物为主 [ 1～3 ] 。 2 + 但诸多文献仅是通过比较实验前后溶液中 B a 的浓度来评价阻垢分散剂的性能 ,很少对其抑制硫酸钡 垢的机理加以探讨 。晶体生长理论认为 ,垢的形成首先源于难溶盐的结晶 ,而难溶盐的结晶过程又依赖 于成垢离子的活度 、体系的温度及杂质的含量等因素 [ 4 , 5 ] 。晶体的析出 ,意味着系统中新相的生成 ,新相 的生成必然会改变溶液的电导率 。因此电导率法已广泛用于对阻垢剂的阻垢效果的评价 [ 6 ] 及晶体生长 [ 7 ] ( ) 动力学的研究中 。本文用电导率法考察了不同浓度的 2 膦酸丁烷 1, 2 , 4 三羧酸 PB TCA 对硫酸钡 析晶过程的影响 。通过经典的均相成核理论推算出结晶时的表面 自由能 ,利用一级反应速率方程计算 了晶体生长速率常数的近似值 ,并得出阻垢剂 PB TCA 在硫酸钡表面的吸附模型 。 1　实验部分 1. 1　试剂和仪器 (