阻变存储器和其集成技术研究进展.pdfVIP

第 39卷第 4期 微 电 子 学 Vo1．39，N0．4 2oo9年 8月 c，Oejecfr0竹fc Aug．20O9 · 动态综述 · 阻变存储器及其集成技术研究进展 左青云，刘 明，龙世兵，王 琴，胡 媛，刘 琦，张 森，王 艳，李颖搜 (中国科学院 微电子研究所 纳米加工与新器件集成技术实验室，北京 1O0O29) 摘 要： 在各种新型非挥发性存储器中，阻变存储器(RRAM)具有成为下一代存储器的潜力。 介绍了RRAM 器件 的基本结构，分类总结了常用的材料 以及制备工艺，对 RRAM 阵列的集成方 案进行了比较，并讨论了目前存在的问题 ；最后，对 RRAM 的研究趋势进行了展望。 关键词： 非挥发性存储器；阻变存储器；电阻转变 中图分类号 ：TP333．5 文献标识码 ：A 文章编号：1OO4—3365(2oo9)04一O546一O6 PI ssin