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本讲结束! 格 物 致 新 · 厚 德 泽 人 种类和用途 用途 园柱形固定电阻器躁声电平和三次谐波失真都比较低,常用于高档音响的电子. 薄膜型(RN型)电阻精度高、电阻温度系数小、稳定性好,但阻值范围较窄,适用于精密高频领域; 厚膜型(RK型)电阻在电路中应用最广泛。 格 物 致 新 · 厚 德 泽 人 表示方法 原理图上表示符号 格 物 致 新 · 厚 德 泽 人 表示方法 明细表中文字说明 炭膜电阻 RT-1/8W-330K-M 金属膜电阻 RJ - 1/4W - 5.1K - J RM73 B 2B TE 102 J 表贴电阻 4.7K- 5% -0603 格 物 致 新 · 厚 德 泽 人 2、阻抗元件-电容 结构 作用:充放电、隔直流 通常用途: 调谐电路、旁路电路、 去藕电路、滤波电路。 电容量=电荷量/电压之比 表示方法: CD1-160V-0.22μ 格 物 致 新 · 厚 德 泽 人 2、阻抗元件-电容 主要参数: 电容量=电荷量/电压之比 额定工作电压(耐压) : 电容器中的电介质能够承受的电场强度是有限的。当施加在电容器上电压达到一定值时,由于电介质漏电击穿而造成电容器失效。在允许环境温度范围内,能够连续长期施加在电容器上的最大电压有效值称为额定电压,习惯也叫耐压。 格 物 致 新 · 厚 德 泽 人 2、阻抗元件-电容 漏电流与绝缘电阻 漏电流:由于电容器中的介质非理想绝缘体,因此任何电容器工作时都存在漏电流。漏电流过大会使电容器性能变坏引起电路故障,甚至电容器发热失效;电解电容器爆炸。电解电容器由于采用电解质作介质,漏电流较大,通常给出漏电流参数,一般铝电解电容漏电流可达mA 数量级(与电容量,耐压成正比)。 绝缘电阻:由于其它电容器漏电流极小,用绝缘电阻表示其绝缘性能。一般电容器绝缘电阻都在数百M?到数G?数量级。 格 物 致 新 · 厚 德 泽 人 2、阻抗元件-电容 损耗因素=tg? P有功损耗 无功损耗Pq; U为电容上电压有效值, ?为损耗角。 实际电容器相当理想电容器上并联一个等效电阻。当电容器工作时一部分电能通过R变成无用有害的热能,造成电容器的损耗。显然tg?可表征电容器损耗的大小。特别在交流、高频电路中损耗因数是一个重要的参数。不同介质电容tg?值相差很大,一般在10-2~10-4数量级范围内。 格 物 致 新 · 厚 德 泽 人 电解电容(铝、钽) 结构:铝箔+纸+电解液 表示方法: CD1-160V-0.22μ 特点:容量大,损耗大, 漏电大 测量:注意方向 符号: 用途:用于电路要求不太高, 但电容量较大的场合。 如电源滤波、低频耦 合、去耦、旁路等。 格 物 致 新 · 厚 德 泽 人 瓷介电容器 CC12-63V-200P 电路符号 I类 COG/NPO 特点:低损耗电容材料、高稳定性电容量,不随温度、电压和时间的变化而改变。电介质特性好. II类 X7R 特点:电气性能较稳定,随温度、电压、时间的变化,其特有性能变化并不显著,属稳定性电容。 III类 Z5V 特点:具有较高的介电常数,电容量较高,低频通用型。 格 物 致 新 · 厚 德 泽 人 瓷介电容器 用途: I类 用途:用于稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频电路。 II类 用途:用于隔直、耦合、旁路、滤波即可靠性要求较高的中高频电路。 III类 用途:广泛用于对电容、损耗要求偏低,标称容量要求较高的电路。 格 物 致 新 · 厚 德 泽 人 4、阻抗元件--电感 电感 表示方法:L、LGX 结构: 作用:扼流、退耦、滤波 延迟、补偿、调谐。 关键参数 格 物 致 新 · 厚 德 泽 人 电感、变压器 互感原理 外形和符号 常用变压器 充电器中低频变压器 初级和次级的区分 格 物 致 新 · 厚 德 泽 人 4 、半导体分立器件 半导体 PN结 二极管 结构: 发光二极管 符号 极性 万用表区别 格 物 致 新 · 厚 德 泽 人 4 、半导体分立器件 二极管 普通二极管 符号 极性 用途:检波、整流 稳压、开关 格 物 致 新 · 厚 德 泽 人 4 、半导体分立器件 三级管 结构: 符号: 作用: 放大,控制 开关。
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