第1章 半导体器件基础.pptVIP

主讲:刘园园 电子空穴对 1. PN结的形成 总结： 空间电荷区，也称为耗尽层，形成的内电场，抑制多子的扩散运动，有利于少子的漂移运动，最终达到动态平衡。 (1) 正向特性 二极管基本电路分析 2）极间电容 势垒电容Cb 扩散电容Cd 二极管的结电容Cj= Cb+ Cd，正向偏置时以扩散电容Cd为主，反向偏置时以势垒电容Cb为主。等效电路里， Cb 、Cd并联。点接触型， Cb 、Cd小，只有0.5nF左右，面结合型大，约nPF~200PF。 限幅电路 特殊二极管 半导体三极管 例题2：测量三极管三个电极对地电位，试判断三极管的工作状态。 放大 截止 饱和 发射结和集电结均为反偏。 发射结和集电结均为正偏。 发射结正偏，集电结反偏。 例题3： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k?, 当USB = -2V，2V，5V时，晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？(判断三极管的工作状态) 当USB =-2V时， IB=0 ， IC=0，Q位于截止区 当USB =2V时， IB= (USB -UBE)/ RB =(2-0.7)/70=0.019 mA IC= ?IB =50?0.019=0.95 mA ICS =2 mA ， IC最大饱和电流ICS = (USC -UCE)/ RC =(12-0)/6=2mA IC UCE