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电子科技大学1501 * §2-3 Evaporation methods 最常用的加热方式： 电阻法 电子束 高频感应 电子科技大学1501 * 电阻蒸发 蒸发源材料的要求----W, Mo 1）熔点要高； 2）饱和蒸气压低，减少蒸发源材料蒸气的污染； 3）化学性能稳定； 4）耐热性好，热源变化时，功率密度变化较小； 5）经济耐用。 电子科技大学1501 * 蒸发源的性质 镀料与蒸发源的浸润性 镀料熔化后，若有沿蒸发源上扩展的倾向时，两者是浸润的。反之，是不浸润的。浸润时，为面蒸发源，蒸发状态稳定。不侵润时，为点蒸发源，若用丝式蒸发源时镀料易脱落。 电子科技大学1501 * 各种电阻蒸发源的形状 1）丝式 2）蒸发舟 3）坩埚 电子科技大学1501 * 电子束蒸发 1）电阻蒸发源的缺点：不能蒸发某些难熔金属，也不能制备高纯度薄膜。 2）定义：将镀料放入水冷铜坩埚中，利用高能电子束轰击镀料，使其受热蒸发。 电子科技大学1501 * 4）电子束蒸发源的结构 A）环形枪 环状阴极发射电子，结构简单，功率、效率都不高，多用于实验工作。 B）直枪 轴对称的直线加速电子枪，阴极发射电子，阳极加速，缺点是体积大，成本高，蒸镀材料会污染枪体，灯丝逸出的Na+离子污染膜层。 电子科技大学1501 * C）e型枪 优点 1）电子束偏转270度，避免了正离子对膜的影响。 2）吸收极使二次电子对基板的轰击减少。 3）防止极间放电，又避免了灯丝污染。 4）可通过调节磁场改变电子束的轰击位置。 电子科技大学1501 * 高频感应蒸发 一）原理：将镀料放在坩埚中，坩埚放在高频螺旋线圈的中央，使镀料在高频电磁场的感应下产生涡流损失和磁滞损失（对铁磁体）而升温蒸发。 电子科技大学1501 * 二）特点： 1）蒸发速率大，可比电阻蒸发源大10倍左右。 2）蒸发源的温度均匀稳定，不易产生飞溅现象。 3）镀料是金属时可自身产生热量，坩锅可选用与蒸发材料反应最小的材料。 三）缺点： 1）蒸发装置必须屏蔽，否则会对广播通讯产生影响。 2）线圈附近压强超过10-2Pa时，高频电场会使残余气体电离。 3）高频发生器昂贵。 电子科技大学1501 * 瞬时蒸发法 又称“闪蒸法”，将细小的合金颗粒，逐次送到非常炽热的蒸发器中，使颗粒在瞬间完全蒸发。常用于合金中元素的蒸发速率相差很大的场合。 关键是选取粉末料的粒度，蒸发温度和进料的速率。钨丝锥形筐是作蒸发源的最好结构，若用蒸发舟或坩埚，未蒸发的粉末会残余下来成为普通蒸发。 电子科技大学1501 * 反应蒸发法： 有些化合物饱和蒸气压低，难于用电阻蒸发法。 原因： A）化合物的熔点较高，电阻加热温度不够。 B）许多化合物在高温下会分解，如Al2O3，TiO2等会失氧。 原理：将活性气体导入真空室，使之与被蒸发的金属原子，低价化合物分子在基板表面反应，形成所需化合物薄膜。 适用：高熔点化合物薄膜，易分解的化合物薄膜，如过渡金属与易解吸的O2，N2组成的化合物。 电子科技大学1501 * 双源或多源蒸发法 将合金的每一成分，分别装入各自的蒸发源中，然后独立地控制各蒸发源的蒸发速率，以控制薄膜的组成。 为了使膜厚均匀，通常需要旋转。 电子科技大学1501 * 三温度法 实质上是双源蒸发法，分别控制两个蒸发源的温度及基板温度。 电子科技大学1501 * 分子束外延（MBE） A）外延：是在适当的单晶基片上，沿基板晶轴的方向生长一层单晶薄膜的方法。 －－要求晶格匹配，对称性一致。 过去一般认为m≤7%时，可获得超晶格。但最近发现当薄膜非常薄时，晶格富于弹性，也可获得超晶格m=15%。应变超晶格。 －－同质外延，异质外延 电子科技大学1501 * B）分子束外延的定义： 在超高真空下（～10-9－10-11Torr），将薄膜诸组分元素的分子束流，直接喷到衬底表面，从而在其上形成外延薄膜。 电子科技大学1501 * C）分子束外延的特点 1）能够严格控制生长过程和生长速率 2）是超高真空的物理沉积过程，不需考虑输送过程及中间的反应，可用快门对生长和中断进行瞬时控制 3）MBE是个动力学过程，可生长在普通热平衡下难以生长的薄膜 4）MBE衬底温度低，降低了热膨胀引入晶格失配和衬底材料对外延层的自掺杂扩散影响 5）生长速率低，1个原子层/1秒，有利于精确控制膜厚，结构，成分，特别适用于生长超晶格材料 6）装有多种表面分析仪器，有利于科学研究 电子科技大学1501 * 特殊的蒸发法 1．电弧蒸发法 在高真空下，将镀料做成两个棒状电极，通电使其发生电弧放电，使接触部分达到高温的蒸发