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第1章 概述 1.1 简介 LPC1700 系列 Cortex-M3 微控制器用于处理要求高度集成和低功耗的嵌入式应用。ARM Cortex-M3 是下一代新生内核，它可提供系统增强型特性，例如现代化调试特性和支持更高级 别的块集成。 LPC1700 系列 Cortex-M3 微控制器的操作频率可达 100MHz。ARM Cortex-M3 CPU 具有 3 级流水线和哈佛结构，带独立的本地指令和数据总线以及用于外设的稍微低性能的第三条总线。 ARM Cortex-M3 CPU 还包含一个支持随机跳转的内部预取指单元。 LPC1700 系列 Cortex-M3 微控制器的外设组件包含高达 512KB 的Flash 存储器、64KB 的 数据存储器、以太网 MAC 、USB 主机/从机/OTG 接口、8 通道的通用 DMA 控制器、4 个 UART 、 2 2 2 条 CAN 通道、2 个 SSP 控制器、SPI 接口、3 个 I C 接口、2-输入和 2-输出的 I S 接口、8 通 道的 12 位 ADC 、10 位 DAC 、电机控制PWM 、正交编码器接口、4 个通用定时器、6-输出的 通用 PWM 、带独立电池供电的超低功耗RTC 和多达 70 个的通用 I/O 管脚。 1.2 特性  ARM Cortex-M3 处理器，可在高至 100MHz 的频率下运行，并包含一个支持 8 个区的 存储器保护单元（MPU ）；  ARM Cortex-M3 内置了嵌套的向量中断控制器（NVIC ）；  具有在系统编程（ISP ）和在应用编程（IAP ）功能的512KB 片上 Flash 程序存储器。 把增强型的 Flash 存储加速器和 Flash 存储器在 CPU 本地代码/数据总线上的位置进行 整合，则 Flash 可提供高性能的代码；  64KB 片内 SRAM 包括： –32KB SRAM 可供高性能 CPU 通过本地代码/数据总线访问； –2 个 16KB SRAM 模块，带独立访问路径，可进行更高吞量的操作。这些 SRAM 模 块可用于以太网、USB 、DMA 存储器，以及通用指令和数据存储；  AHB 多层矩阵上具有 8 通道的通用 DMA 控制器，它可结合 SSP、I2S、UART 、模数 和数模转换器外设、定时器匹配信号和 GPIO 使用，并可用于存储器到存储器的传输；  多层 AHB 矩阵内部连接，为每个 AHB 主机提供独立的总线。AHB 主机包括 CPU、 通用 DMA 控制器、以太网 MAC 和 USB 接口。这个内部连接特性提供无仲裁延迟的 通信，除非 2 个主机尝试同时访问同一个从机；  分离的 APB 总线允许在 CPU 和 DMA 之间提供更多的带宽，更少的延迟。CPU 无须 等待 APB 写操作完成；  串行接口 –以太网MAC 带 RMII 接口和相关的 DMA 控制器； –USB 2.0 全速从机/主机/OTG 控制器，带有用于从机、主机功能的片内 PHY 和相关 的DMA 控制器； –4 个 UART ，带小数波特率发生功能、内部FIFO 、DMA 支持和 RS-485 支持。1 个 UART 带有 modem 控制 I/O 并支持 RS-485/EIA-485 ，全部的UART 都支持 IrDA ； –CAN 控制器，带 2 个通道； –SPI 控制器，具有同步、串行、全双工通信和可编程的数据长度； –2 个 SSP 控制器，带有 FIFO ，可按多种协议进行通信。其中一个可选择用于 SPI， 并且和 SPI 共用中断。SSP 接口可以与 GPDMA 控制器一起使用； 1 ／498 2